База задач ФизМатБанк
| 69852. Германиевый транзистор ГТ108А используется в схеме с оборванной базой. Определить температуру, при которой произойдет тепловой пробой, если транзистор имеет следующие данные: максимально допустимая температура перехода Tп mах = 80°С, тепловое сопротивление переход — среда Rnс = 0,8 К/мВт, обратный ток коллекторного перехода lкб0 = 10 мкА при 20°С, коэффициент передачи тока базы b = 50 (постоянен в интервале температур от 20 до 80°C). Напряжение источника Ек = -10 В. |
| 69853. Мощный транзистор, имеющий тепловое сопротивление между переходом и корпусом Rпк = 0,8 К/Вт, должен рассеивать мощность Ркэ = 10 Вт при температуре окружающей среды Тс = 32°С. Для повышения надежности температуру перехода решено ограничить величиной 70°С. В сборочной конструкции содержатся шайба и изолирующая силиконовая смазка. Тепловое сопротивление шайбы равно 1,5 К/Вт, а силиконовая смазка уменьшает его примерно на 40 %. Определить, какова должна быть площадь теплоотвода, если он необходим. Считать, что 1 см2 металлической поверхности теплоотвода имеет тепловое сопротивление 800 К/Вт. |
| 69854. Транзистор с коэффициентом передачи тока базы b = 49 используется в схеме, изображенной на рис. Определить напряжение Uкэ при Т = 50°С, если обратный ток коллекторного перехода lкб0 = 10 мкА зависит от температуры по закону l'кб0 = lкб0 е^0,08(T - T0), где Т - Т0 = 50 - 25 = 25°С. Напряжение источника Eк = +20 В. |
| 69855. Транзистор с параметрами b = 50 и lкб0 = 10 мкА при Т = 25°С используется в схеме, изображенной на рис. Напряжение Ек = +20 В и Uбэ = 100 мВ. Определить напряжение Uкэ при T = 25 и 50°С. Считать, что температурный коэффициент напряжения dUбэ/dТ = -2,5 мВ/К. |
| 69856. Транзистор типа МП21В работает в схеме, изображенной на рис , а. Пользуясь выходными характеристиками транзистора (рис. ,б), графически определить рабочую точку при Ек = -40 В и Rн = 1 кОм. |
| 69857. В схеме, изображенной на рис. , используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы b = 50 и обратным током коллектора lкб0 = 10 мкА. Напряжение источника питания Ек = -15 В. Определить сопротивления Rб и Rн, если ток коллектора lк = 1 мА, напряжение коллектор — эмиттер Uкэ = -6 В. |
| 69858. Дана схема, изображенная на рис. ,а. Определить коллекторный ток, если коэффициент передачи тока базы транзистора b = 50, обратный ток коллекторного перехода lкб0 ~ 0 и Eэ = -30 В, Eк = -40 В. |
| 69859. Схема усилителя изображена на рис. Рассчитать цепи смещения, если рабочая точка задана следующими координатами: lк = 1 мА, Uкэ = -6 В. Коэффициент усиления каскада Кu = -8. |
| 69860. Транзистор работает в схеме ОБ с нагрузкой Rн = 2 кОм. Его параметры: rэ = 40 Ом, rб = 200 Ом, rк = 200 кОм, Ск = 20 пФ. На какой частоте за счет влияния емкости Ск модуль коэффициента усиления |Ki| уменьшится вдвое? Внутренним сопротивлением источника сигнала пренебречь. |
| 69861. На низких частотах коэффициент передачи тока эмиттера транзистора h21б0 = -0,98 его предельная частота fh21б = 5 МГц. Определить: а) модуль коэффициента передачи тока эмиттера |h21б| этого транзистора на частоте 10 МГц; б) частоту, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера уменьшается до значения 0,6. |
| 69862. При Т = 300 К в рабочей точке с координатами lк = 10 мА и Uкэ = 10 В на низких частотах транзистор имеет следующие значения h-параметров: h11э = 500 Ом, h12э = 10^-4, h21э = 100, h22э = 50 мкСм. Вычислить все параметры гибридной схемы замещения, если fгр = 50 МГц и Ск = 3 пФ. |
| 69863. Удельная проводимость канала n-типа полевого транзистора s = 20,9 См/м и ширина канала w = 6 мкм при напряжении затвор — исток, равном нулю. Найти напряжение отсечки Uотс, считая, что подвижность электронов цn = 0,13 м2/(В*с), а относительная диэлектрическая проницаемость кремния е = 12. б) При напряжении затвора, равном нулю, сопротивление сток — исток равно 50 Ом. При каком напряжении затвора сопротивление сток — исток станет равным 200 Ом? |
| 69864. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом, имеющий lc mаx = 2 мА и Smax = 2 мА/В, включен в усилительный каскад по схеме с общим истоком. Сопротивление резистора нагрузки Rн = 10 кОм. Определить коэффициент усиления по напряжению, если: а) Uзи = -1 В; б) Uзи = -0,5 В; в) Uзи = 0. |
| 69865. У некоторого полевого транзистора с управляющим р-n-переходом lс max = 1 мА и Uотс = 4 В. Определить: а) какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор — исток, равном 2 В; б) чему равна крутизна и максимальная крутизна в этом случае? |
| 69866. В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки Rн = 20 кОм (рис. ). Эффективное входное сопротивление полевого транзистора 20 кОм, рабочая крутизна S = 2 мА/В. Определить коэффициент усиления каскада. |
| 69867. Истоковый повторитель (рис. ) имеет ток стока lс = 5 мА и S = 2 мА/В, Rн = 500 Ом, URu = 11ис. Определить следующие величины: а) Кu; б) Rвых; в) Ес. |
| 69868. В усилителе, схема которого показана на рис. , при |Uзи| = 2 В ток стока lc = 1 мА. Определить: а) сопротивление резистора Rи, если падением напряжения lзRз можно пренебречь; б) напряжение Ec, если Rи = 10 кОм, Uси = 4 В. |
| 69869. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом и каналом n-типа используется в усилительном каскаде (рис. ). Напряжение отсечки транзистора Uoтc = -2 В, максимальный ток стока lс max = 1,8 мА. Известно, что при напряжении источника питания Eс = 20 В ток стока lс = 1 мА. Модуль коэффициента усиления усилителя по напряжению |Ku| = 10. Определить : а) напряжение смещения затвор — исток Uзи; б) крутизну транзистора в рабочей точке S; в) сопротивление резистора в цепи истока Rн; г) сопротивление нагрузки в цепи стока Rc. Предположить, что внутреннее сопротивление транзистора Ri >> Rc и что на рабочей частоте емкостное сопротивление конденсатора С пренебрежимо мало. |
| 69870. В МДП-транзисторе с каналом n-типа ширина затвора 0,8 мм, длина канала l = 5 мкм, толщина слоя диэлектрической изоляции (оксидного) d = 150 нм, подвижность электронов в канале цn = 0,02 м2/(В*с), относительная диэлектрическая проницаемость оксидной пленки е = 3,7, напряжение сток — исток в пологой части характеристики (при насыщении) Uси = 8 В. Определить крутизну характеристики прибора в пологой области стоковой ВАХ. |
| 69871. В предварительном усилителе, схема которого изображена на рис. , определить номиналы переходных и блокирующих конденсаторов, а также необходимый тип активных элементов для обеспечения нижней граничной частоты fн = 100 Гц и верхней граничной частоты fв = 500 кГц. Подсчитать коэффициент усиления в области средних частот. |
| 69872. Рассчитать широкополосный усилитель на основе каскадного соединения однотипных усилительных микросхем К224УС1 по следующим данным: Rн = 1 кОм, Ku = 10, fв > 40 МГц, fн < 500 кГц. Предполагается, что усилитель работает от низкоомного источника сигнала. |
| 69873. В двухкаскадном транзисторном усилителе с общим коэффициентом усиления по току, равным 3000, использованы транзисторы с коэффициентом b = 100. В схему включена ООС с параметром у = 0,01. Определить изменение общего коэффициента усиления (%) при наличии обратной связи и без нее, если изменение напряжения питания приводит к уменьшению параметра b до 50. |
| 69874. Усилитель с входным сопротивлением Rвх = 10 кОм и выходным сопротивлением Rвых = 0,5 кОм при работе на нагрузку с сопротивлением Rн = 2 кОм имеет коэффициент усиления по напряжению, равный 500. Как изменятся коэффициент усиления, входное и выходное сопротивления усилителя при введении в него последовательной обратной связи по напряжению? Делитель напряжения включен параллельно нагрузке и составлен из сопротивлений R1 = 9,9 кОм и R2 = 100 Ом. |
| 69875. Усилитель с входной проводимостью Yвх = 2 мСм и выходной проводимостью Yвых = 100 мкСм при работе на нагрузку Yн = 50 мкСм имеет коэффициент усиления по току, равный 500. Как изменятся коэффициент усиления, входная и выходная проводимости усилителя при введении параллельной обратной связи по току? Токовый делитель включен так, как показано на рис. , и составлен из резисторов с проводимостями Y1 = 10 мСм и Y2 = 101 мкСм. |
| 69876. Рассчитать широкополосный усилитель напряжения, работающий на согласованный кабель (Rн = 75 Ом), по следующим данным: uг = 2,5 мВ; Rг = 1 кОм; uн = 500 мВ; Кг < 5 %; fв > 20 МГц. Нестабильность коэффициента усиления при всех условиях эксплуатации не должна превышать 10 %. |
| 69877. Двухкаскадный усилитель, схема которого показана на рис. , имеет коэффициент гармоник Кг = 20 % при требуемом эффективном уровне выходного тока, равном 5 мА. Определить сопротивление резистора обратной связи Roc, который следует включить между эмиттером второго и базой первого транзистора для уменьшения Кг до уровня 5 %. Определить также изменение значения тока генератора входного тока с внутренним сопротивлением 10 кОм, необходимое для того, чтобы сохранить требуемое значение выходного тока. |
| 69878. Рассчитать однотактный транзисторный усилитель мощности, изображенный на рис. , если заданы величина сопротивления нагрузки Rн = 5 Ом и мощность в нагрузке Рн = 2 Вт. Напряжение источников питания Ек = -15 В и Еэ = +15В. |
| 69879. Рассчитать двухтактный бестрансформаторный усилитель мощности, изображенный на рис , если заданы мощность в нагрузке Рн = 2 Вт и сопротивление нагрузки Rн = 10 Ом. Усилитель работает от источника сигнала с параметрами Eг = 600 мВ и Rг = 10 Ом. |
| 69880. Рассчитать усилитель с гальванической связью (рис. ), обеспечивающий Uвых = ±3 В на нагрузке Rн = 5 кОм. Требуемый коэффициент усиления Ku > 100 в диапазоне частот от 0 до 10 кГц. |
| 69881. Рассчитать ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричными входом и выходом. Э.д.с. входного сигнала Eг = 10 мВ, сопротивление Rг = 0,1 кОм. Требуемый коэффициент усиления Кuд = 20, сопротивление Rвх > 5 кОм. Выбрать значение напряжения источников питания, рассчитать элементы схемы, величину Коc.сф, a также оценить приведенный дрейф усилителя при условии, что абсолютные значения температурных приращений напряжений и токов транзистора разнятся на 5 %. |
| 69882. Рассчитать нормирующий усилитель на основе ОУ типа К140УД1А с коэффициентом передачи Ku = 10, работающий на нагрузку с сопротивлением Rн = 5 кОм. Входное сопротивление не менее 10 кОм, выходное сопротивление не более 100 Ом. Усилитель работает от источника сигнала с э.д.с. Ег = 0,2 В и внутренним сопротивлением Rг = 1 кОм. Оценить относительную статическую погрешность и дрейф, приведенный ко входу усилителя, если dT = 20°С (от 20 до 40°С) и нестабильность источников питания ±10 %. |
| 69883. Рассчитать измерительный усилитель на основе ОУ для усиления разностного сигнала с диагонали моста, в одно из плеч которого включен терморезистор (рис. ). При изменении температуры на 20°С (от 20 до 40°С) возникает разбаланс моста dRx = 5 Ом. Номиналы резисторов моста Rх 20°C = R1 = 100 Ом; R2 = R3 = 5 кОм; напряжение питания моста Еп = 10 В. Требуемое значение коэффициента усиления должно регулироваться в пределах от 30 до 50. Входное сопротивление Rвх > 50 кОм. Оценить величину синфазной помехи на выходе усилителя, учитывая разброс номиналов резисторов схемы. |
| 69884. Рассчитать инвертирующий сумматор с тремя входами на идеальном ОУ (KuОУ = oo, RвхОУ = oо, RвыхОУ = 0). Значения ЭДС на входах и внутренние сопротивления источников следующие: Eг1 = -2 В, Eг2 = 3 В, Eг3 = 1 В, Rг1 = 0,5 кОм. Rг2 = 0, Rг3 = 1 кОм. Требуемое усиление сигнала по первому входу равно 5, по второму — 2, по третьему — 10. Сопротивление нагрузки Rн = 5 кОм. |
| 69885. На вход ОУ типа 140УД6, включенного по схеме повторителя, подается синусоидальный входной сигнал переменной частоты с амплитудой 10 В. Определить предельную частоту входного сигнала, при которой будут отсутствовать искажения выходного напряжения. |
| 69886. Рассчитать резонансный усилитель с последовательным включением LC-контура (см. рис. ). Усилитель должен работать от источника сигнала с сопротивлением Rr = 0,1 кОм на нагрузку с параметрами Rн = 1 кОм, Сн = 100 пФ и обеспечивать резонансную частоту f0 = 500 кГц, добротность Qзвк > 35 и усиление на резонансной частоте Ku0 > 20. |
| 69887. Рассчитать избирательный RC-усилитель на основе двойного Т-образного моста в цепи обратной связи по следующим данным: f0 = 1 кГц, Qзвк = 15, Rг = 1 кОм, Rн = 1 кОм. Схема усилителя приведена на рис. . |
| 69888. Рассчитать избирательный усилитель с цепью максимального типа на основе операционного усилителя по следующим данным: Q = 10; dQ/Q = 0,1; f0 = 10 кГц; Uвых max = 8 В. |
| 69889. Рассчитать фильтр нижних частот с максимально плоской характеристикой по следующим данным: f0 = 10 кГц, К0 > 10, n = -40 дБ/дек. |
| 69890. Используя метод заряда, получить выражения для определения времен фронта, среза и рассасывания носителей в базе при переключении транзисторного ключа (рис. ,а) импульсом базового тока. Передний фронт импульса базового тока нарастает по экспоненциальному закону lб(t) = lб1 (1 - е^-at), а задний спадает по закону lб(t)e^-bt (a, b — некоторые величины, обратные постоянным времени). |
| 69891. Определить длительности фронта, среза и рассасывания при переключении транзисторного ключа, нагруженного на RС-цепь (рис. ), прямоугольным импульсом напряжения, изменяющимся от значения Ег2 = -2 В до Ег1 = 1 В. Внутреннее сопротивление генератора входного сигнала Rг = 1 кОм. Исходные данные для расчета: Ек = 10 В, Rн = Rк = 1 кОм, Сн = 100 пФ, тип транзистора МП41. |
| 69892. Рассчитать параметры ключа с ускоряющим конденсатором (рис ), выполненного на транзисторе типа КТ312, и определить его быстродействие при подаче на вход прямоугольного импульса напряжения. Нижний уровень входного сигнала Eг2 = 1 В, верхний уровень Eг1 = +2 В, сопротивление генератора Rг = 1 кОм. Степень насыщения транзистора S не должна превышать значения 4. Принять bmin = 80. |
| 69893. Определить сопротивления резисторов R1, R2, Rк транзисторного ключа, изображенного на рис Исходные данные: тип транзистора МП41А, напряжение питания Eк = 10 В, амплитуда входного и выходного сигналов соответственно Uвх = 3 В, Uвых > 8 В, сопротивление резистора нагрузки Rн = 3 кОм, степень насыщения транзистора S = 3, температура окружающей среды t = 20 -:- 60°С. Сопротивлением источника входного сигнала Rг можно пренебречь. |
| 69894. Определить амплитуду прямоугольного импульса Uвх2, необходимую для отпирания ключа и насыщения транзистора со степенью S = 4, если одновременно с Uвх2 действует импульс Uвx1 с амплитудой, равной 1 В (рис. ). Исходные данные: Eк = 6 В, Rк = 2 кОм, Есм = -1 В, R1 = R2 = 1 кОм, Rсм = 0,5 кОм, bmin = 27. |
| 69895. Определить крутизну МДП-транзистора в схеме ключа с резистивной нагрузкой, необходимую для получения остаточного напряжения Uост = 0,1 В, при следующих параметрах схемы: Ес = Ез.вкл = 30 В, Rc = 100 кОм, пороговое напряжение U0 = 5 B. |
| 69896. Определить мощность, потребляемую ключом (см. схему на рис. ), если Eс = 15 В, Rс = 5,1 кОм, удельная крутизна МДП-транзистора b = 100 мкА/В2, U0 = 4 В. Ключ управляется последовательностью импульсов с амплитудой Eз.вкл = 15 В и скважностью Q = 2. |
| 69897. Сравнить длительности включения и выключения МДП-транзисторного ключа с резистивной нагрузкой при Ес = 15 В, Rc = 1 кОм, паразитных емкостях МДП-транзистора Ссп = Сзк = Сзи = Сзc = 2 пФ, Eз.вкл = 15 В, U0 = 3 В, b = 0,5 мА/В2. |
| 69898. Определить мошность, потребляемую базовой ДТЛ-схемой (см. рис. ): а) в режиме логического нуля, б) в режиме логической единицы на выходе схемы. Сравнить полученные результаты. Параметры схемы: Е1 = Eк = 5 В, Е2 = -0,5 В. Падения напряжения на диодах смещения Uд.см = 0,9 В, на входных диодах Uд.вх = 0,8 В, на базе и коллекторе открытого транзистора относительно эмиттера Uбн = 0,6 В, Uкн = 0,1 В соответственно. Сопротивления резисторов Rк = 1 кОм, R1 = 10 кОм, R2 = 5 кОм. |
| 69899. Доказать, что транзистор Т3 в интегральной схеме ТТЛ-типа со сложным инвертором (см. рис. ) запирается при подаче на все входы многоэмиттерного транзистора Т1 высокого уровня напряжения. Принять Uбн = 0,7 В. Пороговые напряжения отпирания транзистора и диода одинаковы: Uпор.т = Uпор.д = Uпор = 0,4 В. |
| 69900. На одном из входов ТТЛ-схемы (см. рис. ) действует сигнал логического нуля. При этом транзисторы Т2 и T4 закрыты, а Т3 находится в активном режиме. Определить параметры схемы и транзистора Т3, при которых данный транзистор работает в активном режиме. |
| 69901. Определить высокий уровень выходного напряжения в ТТЛ-схеме со сложным инвертором (см. рис. ), если напряжения на прямосмещенных переходах открытых транзисторов и диода равны. Параметры схемы: Uд = Uбэн = Uкбн = 0,7 В, Ек = 4,8 В, b3 = 10, b1 = 0,025, R1 = 4 кОм, R2 = 1,6 кОм. Нагрузкой схемы является n аналогичных ей ТТЛ-схем со сложным инвертором. Принять, что n = 10. |
| 69902. Определить максимальную амплитуду импульса токовой помехи по цепи питания, возникающей при переключении ТТЛ-схемы (см. рис. ) из состояния 0 в состояние 1. Параметры схемы: R2 = 3,3 кОм, Ек = 5 В, Uбэ = 0,8 В, Uд = 0,7 В, b = 30, Uки = 0,2 В. |
| 69903. Определить помехоустойчивость ТТЛ-схемы (см. рис. ) при действии на ее входе: а) напряжения логической единицы U1вx = 2,4 В, б) напряжения логического нуля U0вx = 0,4 В. Считать, что напряжения на прямосмешенных переходах открытых транзисторов равны 0,7 В, пороговое напряжение отпирания транзистора равно 0,7 В, напряжение коллектор — эмиттер насыщенного транзистора Uкн равно 0,2 В. |
| 69904. Определить помехоустойчивость ТТЛ-схемы со сложным инвертором (см. рис. ). Сравнить полученные результаты с результатами предыдущей задачи. Исходные данные обеих задач одинаковы. |
| 69905. На каждом из входов двухэмиттерного транзистора ТТЛ-схемы со сложным инвертором (см. рис. ) действует высокий уровень напряжения. Определить входной ток l1вх схемы, если падения напряжения Uбэ, Uбк на открытых переходах транзисторов равны 0,7 В. Инверсный коэффициент усиления многоэмиттерного транзистора bl = 0,01, напряжение питания Ек = 5 В, сопротивление R1 = 4 кОм. |
| 69906. Как изменится входной ток l1вx схемы (см. предыдущую задачу), если на один из входов подается низкий уровень напряжения U0вx = 0,2 В? |
| 69907. Определить мощность, потребляемую и рассеиваемую ненагруженной ТТЛ-схемой (см. рис. ): а) при действии на одном из ее входов сигнала логического нуля с напряжением U0вх = 0,2 В, б) при действии на всех входах сигналов логической единицы. Принять следующие исходные данные: Ек = 5 В, R1 = 3,6 кОм, Uбэ = Uбк = 0,7 В, Uкэн = 0,2 В, R2 = 2 кОм. |
| 69908. Определить мощность, потребляемую и рассеиваемую ТТЛ-схемой (см. рис ) при действии на одном из ее входов сигнала логического нуля с напряжением U0вх = 0,4 В. Схема нагружена на 16 аналогичных схем, каждая из которых имеет входной ток l1вх = 0,63 мА. Рассеиванием мощности на открытых переходах транзистора и диода пренебречь. Падение напряжения на открытых переходах транзисторов и диода Uбэ = Uд = 0,7 В. Номиналы резисторов: R1 = 39 кОм, R2 = 2,5 кОм, R4 = 500 Ом. Напряжение питания Ек = 5 В. |
| 69909. Определить условия, при которых режим транзистора T4 в схеме на рис всегда соответствует режиму работы управляющего транзистора Т2. |
| 69910. Определить значения коллекторного lк и базового lб токов транзистора Шотки (см. рис. ,б), включенного по схеме ОЭ, если входной ток lвх = 5 мА, напряжение питания Ек = 5 В, сопротивление резистора в коллекторной цепи Rк = 1 кОм. Коэффициент усиления по току n-р-n-транзистора b = 50, падение напряжения Uкэ = 0,4 В. Как изменится коллекторный ток транзистора Шотки, если произойдет случайный обрыв цепи источника питания Eк? |
| 69911. Записать аналитические выражения для низкого и высокого уровней напряжения на выходе 1 и выходе 2 в ЭСЛ-схеме, нагруженной на n аналогичных схем: а) при заземленной минусовой шине (рис. ,а), б) при заземленной плюсовой шине (рис. ,б). |
| 69912. Определить условия, при которых в ЭСЛ-схеме (см. рис. ,а) открытые транзисторы работают в активном режиме. |
| 69913. Определить значения токов в схеме, приведенной на рис. , если на входе А действует напряжение логического нуля, а на входе В — напряжение логической единицы. В качестве источника сигнала и нагрузки используются одинаковые И2Л-элементы. Коэффициент передачи тока а транзистора T0 принять равным 0,3, напряжение питания E = 5 В, сопротивление инжектора Rи = 100 кОм. |
| 69914. Рассчитать уровни логического нуля, логической единицы и статическую помехоустойчивость элемента И2Л (транзисторы T1 и T0 на рис. ) при Е = 3 В, Rи = 10 кОм, а = 0,6 для транзистора р-n-р, b = 5 для транзистора n-р-n. Считать, что к каждому выходу подключен один аналогичный нагрузочный элемент И2Л. |
| 69915. Изобразить принципиальную схему на элементах И2Л, выполняющую логическую функцию F = (А + В) (С + D). Определить для этой схемы величины сопротивления в цепи инжектора Rи и время задержки tзд.р.ср, если заданы следующие параметры: потребляемая мощность Р = 1 мВт, напряжение питания Е = 3 В, паразитная емкость Сп = 1 пФ, коэффициент передачи тока р-n-р-транзистора а = 0,8, постоянная времени тb = 10 нc. |
| 69916. Определить коэффициент разветвления К0разв элемента И2Л, приведенного на рис. , если минимальный коэффициент усиления по току транзистора n-p-n bmin = 5. |
| 69917. Определить аналитическое выражение для расчета напряжения логического нуля элементов ИЛИ — НЕ и И — НЕ на однотипных МДП-транзисторах. Потенциал логической единицы принять равным E — U0. |
| 69918. Вывести аналитическое выражение для расчета мощности Рпот, потребляемой от источника питания инвертором на однотипных МДП-транзисторах [проверить правильность формулы (9.19)]. |
| 69919. Найти соотношение между временем включения и временем выключения логической схемы на однотипных МДП-транзисторах. Пояснить, почему время включения меньше времени выключения. |
| 69920. Определить работу переключения Aпер = Рпoт tз.ср двухвходовой логической схемы ИЛИ — НЕ на однотипных МДП-транзисторах, если заданы следующие параметры: U0 = 3 В, E = 15 В, Свых = 10 пФ, bа = 0,3 мА/В2, U0вых = 0,8 В. |
| 69921. В схеме со сложным инвертором, представленной на рис. , геометрические размеры каналов транзисторов T1 и Т2 выбираются одинаковыми. Сравнить данную схему с простыми схемами, приведенными на рис. , по значению напряжения U0вых и быстродействию. |
| 69922. Определить, каково значение коэффициента разветвления по выходу интегральной логической схемы на однотипных транзисторах, если время переключения схемы не должно превышать 2 мкс. Входную емкость Свх интегральной схемы принять равной 2 пФ, остальные исходные данные соответствуют задаче 9.35. |
| 69923. Сравнить величины U0выx и tз.выкл инвертора на р-канальных МДП-транзисторах и инвертора на n-канальных МДП-транзисторах, если геометрические размеры каналов нагрузочных транзисторов обоих инверторов одинаковы. |
| 69924. Сравнить быстродействие инвертора на однотипных МДП-транзисторах и инвертора на КМДП-транзисторах. |
| 69925. Определить, при каких частотах переключения мощность, потребляемая инвертором на КМДП-транзисторах, будет равна мощности, потребляемой элементом ТТЛ. Принять напряжение питания E = 9 В, выходную емкость Свых = 10 пФ, длительность фронта переключающих импульсов tф = 10 нc, удельные крутизны n-канального и р-канального транзисторов bn = bp = 300 мкА/В2, пороговые напряжения U0n = U0p = 3 В. Мощность, потребляемую элементом ТТЛ, принять равной 1 мВт. |
| 69926. Привести временные диаграммы работы устройства и составить таблицу переходов простейшего асинхронного RS-триггера, выполненного: а) на элементах ИЛИ — НЕ (рис. ,а) на элементах И — НЕ (рис. ,б). Сравнить полученные результаты и сделать вывод. |
| 69927. Проанализировать работу асинхронного Т-триггера, функциональная схема которого приведена на рис. Составить и объяснить таблицу переходов. |
| 69928. Составить и объяснить таблицу переходов, привести временные диаграммы переключения синхронного Т-триггера, выполненного по способу «основной - вспомогательный» (О-В) (рис. ). |
| 69929. Свойства синхронного D-триггера характеризуются таблицей переходов: ####. Показать, что схема на рис. , выполненная по способу О-В, реализует функцию D-триггера. Привести временные диаграммы, иллюстрирующие работу схемы. |
| 69930. Составить и объяснить таблицу переходов, привести временные диаграммы переключения асинхронного JК-триггера (рис. ), выполненного по способу О-В. |
| 69931. Рассчитать симметричный триггер (рис. ), работающий в режиме раздельного запуска и удовлетворяющий следующим требованиям: максимальная частота переключений Fmax = 100 кГц, амплитуда выходного импульса Uвых > 10 В, полярность выходного импульса — отрицательная, амплитуда прямоугольного запускающего импульса тока lвх = 10 мА, диапазон рабочих температур t = 20 -:- 60°С, колебания напряжения питания и разброс номиналов резисторов соответственно dE = dR = ±10 %. |
| 69932. Как следует изменить параметры симметричного триггера, рассчитанного по условиям предыдущей задачи, чтобы обеспечить его нормальную работу при подключении нагрузочного резистора Rн? |
| 69933. Рассчитать триггер Шмитта на транзисторах (см. рис ,а), работающий в качестве формирователя прямоугольных положительных импульсов с амплитудой 10 В и длительностью tвых = 100 мкс из сигнала синусоидальной формы ег = Um sin wt. Температура окружающей среды 20 — 60°С. |
| 69934. Рассчитать навесные элементы схемы триггера Шмитта, выполненной на интегральных расширителях К155ЛП1 (рис. ) и предназначенной для работы в качестве порогового устройства с напряжениями срабатывания и отпускания соответственно Ег1 = 1,6 В, Ег2 = 1,2 В. Напряжение источника питания Eк = 5 В. Напряжения на прямосмещенном эмиттерном и коллекторном переходах считать одинаковыми: Uбэ = Uбк = 0,7 В. Напряжение коллектор — эмиттер насыщенного транзистора Uкн = 0,2 В. Пороговое напряжение отпирания эмиттерного перехода закрытого транзистора Uпор = 0,6 В. Нормальный и инверсный коэффициенты усиления транзистора по току b = 60, bi = 0,02. Сопротивление резисторов Rб1 = Rб2 = 4 кОм. Обратными токами транзистора можно пренебречь. |
| 69935. Определить пороговые напряжения срабатывания и отпускания в схеме триггера Шмитта на операционном усилителе (см. рис. ). Исходные данные для расчета: R1 = 12 кОм, R2 = 400 Ом, Uoп = 1 В. Максимальное выходное напряжение операционного усилителя U вых.max = ±10 В. |
| 69936. Рассчитать схему автоколебательного мультивибратора, генерирующего прямоугольные импульсы с амплитудой Uвых = 10 В, длительностью tн = 100 мкс и частотой F = 1,2 кГц. Нагрузка Rн с сопротивлением 10 кОм включена между коллекторами транзисторов и «землей». Диапазон температур окружающей среды 20 — 60°С. Нестабильность рабочей частоты при изменении температуры не должна превышать 12 %. |
| 69937. Как изменится рабочая частота мультивибратора (рис. ), если резисторы R1 и R2 подключить к источнику напряжения — E0 = Eк2 (рис. ,а)? Определить минимальное значение Е0, при котором мультивибратор сохраняет работоспособность. Принять R1 = R2 = R = 10 кОм, C1 = С2 = С, Eк = -12 В, bmin = 50. |
| 69938. Определить максимальную скважность выходных импульсов в схеме мультивибратора с диодной фиксацией коллекторных потенциалов на уровне Еф = -4 В (рис. ,a). Напряжение питания Ек = -12 В. Тип транзистора ГТ321Б. |
| 69939. Рассчитать параметры ждущего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями (см. рис. ), формирующего на выходе импульсы отрицательной полярности с амплитудой Uвых = -6 В и длительностью tи = 30 мкс. Время восстановления исходного состояния схемы не должно превышать 15 мкс. Разброс значений напряжения питания dE и номиналов резисторов dR не должен превышать 10 %. Температура окружающей среды 20 — 60°С. |
| 69940. Рассчитать параметры ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (см. рис. ), предназначенного для формирования импульсов отрицательной полярности с амплитудой Uвых = -5 В и длительностью 15 мкс. Частота запускающих импульсов f равна 20 кГц. Температура окружающей среды 20 - 40°С. |
| 69941. Рассчитать схему блокинг-генератора (см. рис. ), работающего в автоколебательном режиме на нагрузку с сопротивлением Rн = 1 кОм и генерирующего импульсы с амплитудой Uвых = 4 В, длительностью tи = 20 мкс и скважностью Q = 70. Температура окружающей среды не превышает 30°С. |
| 69942. Определить максимальную частоту повторения запускающих импульсов ждущего блокинг-генератора на транзисторе МП111. Задано, что Eк = 12 В, Eб = +2 В, С = 1 нФ, R = 1 кОм, L = 1 мГн, nб = 0,2, nн = 1. Длительности отрицательного и положительного фронтов выходного импульса можно не учитывать. Считать, что tв < tвосст. |
| 69943. Найти максимальное значение сопротивления резистора Rmах, при котором схемы мультивибратора (см. рис. и 11.8) теряют работоспособность. ИМС выполнены на базе элементов ТТЛ-логики и имеют следующие параметры: пороговое значение отпирания ИМС Uпор.сх = 1,4 В; Ек = 5 В; Uбэ = 0,7 В; R1 = 4 кОм. |
| 69944. Спроектировать автоколебательный мультивибратор (см. рис. ,а) на интегральных микросхемах серии 155 с пороговым напряжением 1,4 В. Напряжение на выходе схемы в режиме логической единицы U1вых = 2,4 В, в режиме логического нуля U0вых = 0,4 В. Рабочая частота F = 5 кГц, скважность повторения выходных импульсов Q = 2. |
| 69945. Пользуясь данными задач 11.8 и 11.9, определить емкость конденсатора в схеме ждущего мультивибратора (см. рис. ,а), выполненного на интегральных микросхемах серии 155 и предназначенного для формирования выходного импульса длительностью 70 мкс. |
| 69946. Рассчитать автоколебательный мультивибратор на операционном усилителе (см. рис. ), генерирующий знакопеременные импульсы, амплитуда и частота которых Uвых > 8 В и F = 10 кГц соответственно. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм. |
| 69947. Скважность выходных импульсов, генерируемых схемой мультивибратора (см. рис. ,а), при Есм = 0 равна двум. Как изменится скважность импульсов мультивибратора при подключении источника смещения с напряжением Eсм = 5 В? Навесные элементы мультивибратора имеют параметры R = R2 = 10 кОм, R1 = 10 R2, С = 27 нФ. Тип операционного усилителя К140УД7. |
| 69948. Рассчитанный на основании результатов задачи 11.11 мультивибратор на операционном усилителе типа К140УД7 (см. рис. , а), имеющий навесные элементы с параметрами R = R2 = 0,1 R1 = 10 кОм, С = 27 нФ, генерирует при Eсм = 0 импульсы частотой 10 кГц и со скважностью два. Как изменятся частота и скважность колебаний мультивибратора, если резистор R зашунтировать цепью, состоящей из последовательного соединения диода Д и резистора R' = R? (На рис цепь показана штриховыми линиями.) |
| 69949. Спроектировать ждущий мультивибратор на операционном усилителе (рис. ), формирующий отрицательные перепады выходного напряжения длительностью 10 мкс при поступлении на вход схемы коротких отрицательных импульсов с максимальной частотой fвx.max = 67 кГц. Падение напряжения на открытом диоде Д1Uд1 = 0,6 В. |
| 69950. Выбрать схему и рассчитать элементы генератора линейно возрастающего напряжения, обеспечивающего при отключенной нагрузке следующие характеристики выходного сигнала: Кн = 10 %, foбp = 5 мс, Uм = 1,5 В. Время нарастания линейного напряжения должно определяться длительностью прямоугольного импульса tи = 10 м/с, поданного на вход генератора. Амплитуда сигнала и внутреннее сопротивление источника соответственно равны Eг = -5 В, Rг = 1 кОм. Температура окружающей среды 20 — 60°С. |
| 69951. Как изменятся амплитуда выходного напряжения и коэффициент нелинейности генератора пилообразного напряжения, выполненного по схеме рис. ,a, при подключении резистивно-емкостной нагрузки Rн и Сн? |
Сборники задач
| Задачи по общей физике Иродов И.Е., 2010 |
| Задачник по физике Чертов, 2009 |
| Задачник по физике Белолипецкий С.Н., Еркович О.С., 2005 |
| Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ Волькенштейн В.С., 2008 |
| Сборник задач по курсу физики Трофимова Т.И., 2008 |
| Физика. Задачи с ответами и решениями Черноуцан А.И., 2009 |
| Сборник задач по общему курсу физики Гурьев Л.Г., Кортнев А.В. и др., 1972 |
| Журнал Квант. Практикум абитуриента. Физика Коллектив авторов, 2013 |
| Задачи по общей физике Иродов И.Е., 1979 |
| Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс. Гольдфарб Н.И., 1982 |
| Все задачники... |
Статистика решений
| Тип решения | Кол-во |
| подробное решение | 62 245 |
| краткое решение | 7 659 |
| указания как решать | 1 407 |
| ответ (символьный) | 4 786 |
| ответ (численный) | 2 395 |
| нет ответа/решения | 3 406 |
| ВСЕГО | 81 898 |
Форма связи
fizmatbank@ya.ru
Мы в WhatsApp
Мы в Telegram
