Earth curvature of space2 curvature of space1

Задача FIZMATBANK.RU



Описание задачи ID=80666

Задачник: Всероссийская олимпиада школьников по физике, Фольклор

Тема: Электродинамика / Другое

Олимпиада: Всероссийская, 2013 г., 11 класс

vseros Барьер Шоттки Можно считать, что при комнатной температуре в полупроводнике п-типа (с электронной проводимостью) все атомы донорной примеси ионизированы (каждый отдал по 1 электрону). Электроны этих атомов являются свободными носителями заряда (основные носители), а ионизированные доноры «закреплены» в узлах кристаллической решётки. При напылении на поверхность такого полупроводника металлического контакта, все основные носители из прилегающей к металлу области полупроводника шириной D переходят в металл, а непосредственно под контактом образуется область объёмного заряда ионизированных доноров (барьер Шоттки). Между металлическим контактом и объёмом полупроводника возникает контактная разность потенциалов Uk (рис.). Вычислите толщину D барьера Шоттки, если донорная примесь распределена в полупроводнике однородно с концентрацией Nd = 10^16 см-3, контактная разность потенциалов Uk = 0,7 В, а диэлектрическая проницаемость полупроводникового кристалла е = 13. Заряд электрона е = 1,6*10^-19 Кл, электрическая постоянная e0 = 8,85*10^-12 Ф/м.

Условие задачи по физике ID=80666

Решение
Подробное решение
БЕСПЛАТНО
Введите результат:

Рейтинг:  

 (голосов: 0)


Тэги: 4 этап

Сборники задач


Статистика решений

Тип решенияКол-во
подробное решение
62 245
краткое решение
7 659
указания как решать
1 407
ответ (символьный)
4 786
ответ (численный)
2 395
нет ответа/решения
3 406
ВСЕГО
81 898