База задач ФизМатБанк
69650. Период дифракционной решетки d = 1,2*10^-3 cм, угол между спектрами второго и третьего порядков dф = 2° 30'. Определите длину монохроматической волны. |
69651. Дифракционная решетка имеет 2000 штрихов на длине 4 мм. На нее нормально к ее поверхности падает параллельный пучок лучей с длиной волны 0,4 мкм. Найти общее число максимумов, даваемое этой решеткой. |
69652. Звезда каждую секунду теряет световую энергию 1,8*10^26 Дж, и при этом ее масса уменьшается на k*10^8 кг. Чему равен коэффициент пропорциональности k? |
69653. Масса движущегося электрона превышает его массу покоя в 40 000 раз. С какой скоростью движется электрон? |
69654. Масса воды до нагревания была равна 1 кг. Воду нагрели на 50 К. На сколько увеличилась масса воды в результате нагревания? |
69655. Длина световой волны в некоторой прозрачной среде равна 3,0*10^-7 м, энергия фотона в ней 4,4*10^-19 Дж. Определить абсолютный показатель преломления этой среды. |
69656. Работа выхода электронов из металла А = 7,6*10^-19 Дж, их кинетическая энергия Wк = 4,5*10^-20 Дж. Определить длину световой волны L, падающей на металл. |
69657. Работа выхода электрона из металла А = 3,3*10^-19 Дж. Определить красную границу фотоэффекта vmin. |
69658. Длина волны фотона, падающего на металл, L = 3,0*10^-7 м, красная граница фотоэффекта vmin = 4,3*10^14 Гц. Определить кинетическую энергию фотоэлектронов. |
69659. Катод освещается светом с длиной волны 200 нм. Работа выхода электронов из него 4,5*10^-10 нДж. Вылетевшие из катода фотоэлектроны попадают в однородное магнитное поле индукцией 2 Тл перпендикулярно линиям магнитной индукции и начинают двигаться по окружности. Найти диаметр этой окружности. |
69660. Источник света испускает в течение 4 с 8*10^10 фотонов с длиной волны 0,5 мкм. Какова мощность излучения? |
69661. Если скорость выбитого из металла фотоэлектрона увеличить в 3 раза, то во сколько раз надо увеличить запирающее напряжение на электродах? |
69662. Посредством гамма-излучения нагрета вода массой 500 г на 20°С в течение 1 мин. При этом источник излучения испускал за 1 с 10^20 гамма-квантов. Чему равна длина волны излучения, если вся его энергия пошла на нагревание воды? Удельная теплоемкость воды 4200 Дж/(кг*К). |
69663. На рис. изображена схема энергетических уровней атома. Электрон, летевший со скоростью 2*10^6 м/с, налетел на атом, который до этого покоился в состоянии с энергией 4 эВ. После соударения электрон отскочил, приобретя дополнительную энергию. Найти импульс электрона после столкновения. |
69664. На какое минимальное расстояние может приблизиться альфа-частица к неподвижному ядру олова, если на удалении от ядра ее скорость 10^9 см/с? |
69665. Определить длину световой волны, испускаемой атомом водорода при переходе электрона из состояния с энергией Е4 = -0,85 эВ в состояние с энергией Е2 = -3,4 эВ. |
69666. Определить, сколько альфа- и бета-превращений претерпевает уран 238|92U при превращении в свинец 206|82Pb. |
69667. Период полураспада радия 1600 лет. Определить, через сколько времени число оставшихся атомов уменьшится в 4 раза. |
69668. Период полураспада изотопа радона 3,82 сут. Определить, во сколько раз уменьшится число оставшихся атомов за 1,91 сут. |
69669. Покоящийся мезон с массой m0 распался на два гамма-кванта. Найти импульс каждого из них. |
69670. Относительные атомные массы ядра дейтрона mD, протона mр, нейтрона mn и масса атома углерода mс. Требуется определить энергию связи ядра дейтрона. |
69671. Требуется определить энергию, выделяющуюся при распаде одного ядра урана, если известно, что при захвате ураном нейтрона образуются ядра бария, криптона и три нейтрона. Даны удельные энергии связи бария, криптона и урана. |
69672. Неподвижный свободный атом радия 226|88Ra испытал альфа-распад с образованием изотопа радона 222|86Rn. Какую кинетическую энергию получил при этом атом радона? Масса атома радия 226,0254 а.е.м., масса атома родона 222,0175 а.е.м., масса альфа-частицы 4,0026 а.е.м., скорость света в вакууме 3*10^8 м/с. |
69673. В процессе термоядерного синтеза ядра гелия выделяется энергия 4,2 пДж. Молярная масса гелия 4*10^-3 кг/моль. Какая масса гелия образуется каждые 10 с на Солнце, если мощность солнечного излучения 4*10^20 МВт? |
69674. Радиоактивный препарат с активностью 2*10^12 Бк помещен в калориметр с водой при 27°С. Сколько времени потребуется, чтобы превратить в пар 5 г воды, если препарат испускает альфа-частицы с энергией 10 МэВ, причем вся эта энергия полностью превращается во внутреннюю энергию воды? Удельная теплоемкость воды 4200 Дж/(кг*К), удельная теплота парообразования 2,3*10^6 Дж/кг. |
69705. К резервуару (рис. ), заполненному бензином плотностью Pбенз. = 700 кг/м3, присоединён U-образный ртутный манометр, показание которого hрт = 0,1 м; уровень масла над ртутью hм = 0,2 м. Определить абсолютное давление Pабс паров на поверхности бензина и показание пружинного манометра (см. обозначение буквой М), установленного на крышке резервуара, а также возможную высоту уровня бензина в пьезометре hp при условии, что h = 0,75 м; a = 0,15 м; Н = 1,1 м; принять плотность ртути Pрт = 13,6*10^3 кг/м3; плотность масла Pмас = 820 кг/м3. |
69706. Два резервуара, заполненные водой и бензином, линии центров которых находятся на одном уровне, соединены двухколенным ртутным манометром (рис. ). Пространство между уровнями ртути в манометре заполнено маслом плотностью Pмас = 900 кг/м3. Определить, в каком резервуаре давление больше и на какую величину, если высоты уровней жидкостей соответственно: h1 = 250 мм; h2 = 120 мм; h3 = 80 мм; h4 = 50 мм. Принять плотность бензина Pбенз = 720 кг/м3, ртути Pрт = 13,6*10^3 кг/м3. |
69707. Определить, какое давление - манометрическое или вакуум, показывает мановакуумметр (Pмв), установленный по оси резервуара В с керосином, если показание манометра по центру резервуара А с водой Рман = 0,12 ат. Между резервуарами подключён U-образный ртутный манометр, показание которого hрт = 200 мм; расстояние от уровня ртути в левом колене до оси резервуара A h = 300 мм. Оси центров резервуаров находятся на одной линии (рис. ). Принять плотность керосина Ркер = 820 кг/м3; ртути - Pрт = 13,6*10^3 кг/м3. |
69722. Прямоугольная крышка AВ (рис. ), расположенная под углом а = 60° к горизонту, перекрывает патрубок закрытого резервуара с водой. Высота патрубка h = 600 мм, ширина b = 400 мм. Крышка может поворачиваться вокруг шарнира А. Высота уровня воды над шарниром а = 200 мм. Давление на поверхности воды соответствует показанию U-образного ртутного манометра hрт = 80 мм. Определить силу натяжения троса T для удержания крышки АВ в закрытом положении. Угол натяжения троса b = 45°. Принять плотность воды р = 10^3 кг/м3. |
69723. В торцевой стенке цистерны, заполненной бензином, предусмотрена плоская круглая крышка диаметром d = 1,6 м, укреплённая при помощи болтов. Определить силу давления бензина на крышку и точку приложения силы, если высота уровня бензина над нижней кромкой крышки Н = 2,0 м. На поверхности бензина действует вакуумметрическое давление Рвак = 0,2 ат. Принять плотность бензина Рбенз = 720 кг/м3 (рис. ). |
69724. Квадратный затвор АВ со стороной а = 1,2 м, перекрывающий выход воды из зумпфа, укреплён шарнирно и может поворачиваться относительно оси, проходящей через центр затвора (рис. ). Определить силу F, которую нужно приложить на расстоянии 0,1а от нижнего края затвора, чтобы удерживать затвор в закрытом положении при глубине воды перед затвором h = 1,5 м. |
69725. Определить равнодействующую давления воды и положение центра давления на грани напорной грани плотины AВС, удерживающей напоры: Н1 = 3,0 м; Н2 = 2,0 м. Угол наклона наклонной грани плотины а = 60°. Длина плотины в плоскости, перпендикулярной плоскости чертежа, l = 10 м (рис. ). Решение выполнить графо-аналитическим методом. |
69726. Определить величину, направление и точку приложения силы давления воды на наклонную стенку АВ, удерживающую напоры: слева H = 4,5 м, справа - h = 1,5 м. Длина стенки в плоскости, перпендикулярной плоскости чертежа, l = 5,0 м. Угол наклона стенки к горизонту а = 45° (рис. ). Представить графо-аналитический метод решения. |
69727. Определить силу давления масла на плоскую круглую крышку диаметром d = 600 мм закрытого резервуара и положение центра давления, если показание манометра, установленного на расстоянии а = 200 мм от нижней кромки крышки Pман = 0,11 ат, плотность масла Рмасл = 900 кг/м3 (рис. ). |
69728. Определить величину силы давления бензина на прямоугольную крышку АВ высотой h = 600 мм и шириной b = 400 мм, если показания U-образного ртутного манометра: ртути hрт = 40 мм, масла hмасл = 30 мм; расстояния: а = 100 мм, с = 200 мм (рис. ). Найти геометрическое положение центра давления. Принять плотности жидкостей: масла Рмасл = 900 кг/м3, ртути Ррт = 13,6*10^3 кг/м3, бензина Рбенз = 720 кг/м3. Решение представить аналитическим и графо-аналитическим методами. |
69729. Определить силу давления воды на наклонную прямоугольную стенку АВ, перпендикулярную плоскости чертежа, наклонённую под углом а к горизонту, перекрывающую патрубок шириной b и высотой h. Давление на поверхности воды соответствует Pман. Уровень воды над верхней кромкой крышки равен а (рис ). Решение представить в буквенном выражении. |
69730. Определить силу давления воды на круглую крышку диаметром d закрытого резервуара, если известно показание вакуумметра Рвак на высоте h от центра тяжести крышки (рис. ). |
69746. Цилиндрический затвор диаметром D = 0,6 м перекрывает прямоугольное отверстие в вертикальной стенке, удерживающей напор воды. Высота отверстия равна диаметру затвора, длина отверстия L = 2,0 м. Уровень воды над верхней кромкой затвора h = 0,2 м. Затвор может поворачиваться относительно горизонтальной оси и, перемещаясь, открывать отверстие (рис. ). Определить величину и угол наклона к горизонту силы давления воды на цилиндрический затвор. |
69747. Определить силу давления нефти на цилиндрическую поверхность АВ, а также угол наклона силы к горизонту, если слева уровень нефти Н1 = D = 1,2 м, справа Н2 = D/2 = 0,6 м. Длина цилиндрической поверхности L = 4,0 м. Принять плотность нефти Pн = 900 кг/м3 (рис. ). |
69748. Определить силу давления воды на четверть цилиндрической поверхности АВ открытого резервуара, угол наклона силы к горизонту и глубину погружения центра давления, если глубина заполнения резервуара H = 1,6 м, радиус цилиндрической поверхности r = 0,8 м, длина резервуара L = 5,0 м (рис. ). |
69749. Определить силу давления бензина на полусферическую крышку закрытого резервуара. На поверхности бензина действует избыточное давление паров бензина Pман = 0,03 ат. Крышка перекрывает круглое донное отверстие радиусом r = 0,3 м. Глубина заполнения резервуара Н = 0,9 м. Принять плотность бензина Pбенз = 750 кг/м3 (рис. ). |
69764. С помощью насоса по трубе диаметром d = 50 мм и длиной l = 70 м нефть подается в закрытый резервуар на высоту Н = 15 м. Считать H = const. Определить показание мановакуумметра (Pмв), установленного на поверхности нефти в закрытом резервуаре, если показание манометра после насоса Pман = 1,3 ат. Расход нефти Q = 1,2 л/с, плотность нефти Рн = 900 кг/м3, относительная вязкость по Энглеру °Е = 4,0. В системе установлен пробковый кран с углом закрытия а = 40° и два колена с коэффициентом сопротивления Eкол = 0,8 (рис. ). |
69765. Вода из закрытого резервуара А поступает в открытый резервуар В при пропускной способности системы Q = 15 л/с по трубам: d1 = 75 мм; l1 = 8 м и l2 = 12 м; d2 = 100 мм и l3 = 15 м. Напоры воды в резервуарах постоянны относительно оси трубы: Н1 = 1,5 м; Н2 = 3,5 м (рис. ). Определить показание манометра (Pман) на поверхности воды в закрытом резервуаре, а также соответствующий манометрический напор (Hман). Принять абсолютную шероховатость труб: d1 = 0,5 мм; d2 = 0,2 мм. Учесть местные сопротивления в системе: на входе в первую трубу; в пробковом кране при угле закрытия а = 30°; при внезапном расширении и на выходе из второй трубы. Движение воды в системе считать установившемся, т.е. Q = const. Построить линию полного напора (напорную линию), пьезометрическую линию, показать эпюру потерь напора. |
69766. С помощью насоса вода поднимается на высоту Н = 15 м с истечением в атмосферу. Определить пропускную способность (расход) системы, если показание манометра, установленного после насоса, Рман = 1,6 ат; длина трубы l = 80 м; диаметр трубы d = 100 мм с абсолютной шероховатостью d = 0,5 мм. На трубопроводе установлены: задвижка Лудло со степенью закрытия a/d = 3/4 и три колена. Принять плотность воды р = 10^3 кг/м3, кинематический коэффициент вязкости v = 1,008*10^-6 м2/с. Движение воды считать установившимся, т. е. Q = const (рис. ). |
69767. Определить высоту установки центробежного насоса (Hнаc), который отсасывает воду из зумпфа больших размеров, если диаметр всасывающего трубопровода d = 100 мм, длина l = 25 м; вакуумметрическое давление на входе в насос Pвак = 0,6 ат. Труба водопроводная несколько загрязнённая имеет водозаборную сетку с обратным клапаном и одно колено с углом поворота а = 90°. Насос должен обеспечить постоянную подачу воды Q = 9,0 л/с (см. рис. ). |
69768. Рассчитать максимальную пропускную способность и высоту сифона, откачивающего воду из верхнего зумпфа в нижний, при неизменной разности уровней воды в зумпфах Н = 2,0 м. Труба водопроводная нормальная диаметром d = 150 мм длиной l1 = 10 м (до верхней точки сифона) и l2 = 20 м. На входе в трубу установлена водозаборная сетка с обратным клапаном. Система имеет вентиль с коэффициентом сопротивления Eвент = 7,0, одно колено с углом поворота а = 90° и два поворота трубы с углами a1 = 30° и a2 = 60°. Величина предельного вакуума в верхней точке сифона Pвак = 0,55 ат (рис. ). |
69786. Сложная система с водонапорной башней включает кольцевое соединение труб и доставляет воду двум потребителям (рис. ). Определить отметку уровня воды в водонапорной башне, питающей два потребителя: A с расходом Qa = 18 л/с и С с расходом Qc = 32 л/с. Система включает магистральный трубопровод d1 = 250 мм; l1 = 600 м; два параллельно проложенных трубопровода: d2 = 150 мм; l2 = 550 м; d3 = 100 мм; l3 = 400 м и трубопровод d4 = 200 мм; l4 = 720 м, подающий воду потребителю C. Остаточный напор у потребителя C должен быть не менее 10 м (hост.C > 10 м). Трубы водопроводные нормальные. Местные потери напора принять равными 10 % от потерь по длине. Построить пьезометрическую линию. |
69787. Тупиковая водопроводная система имеет пять участков труб, длины и диаметры которых указаны на рис. В системе четыре потребителя с расходами: Qa = 10 л/с; Qb = 18 л/с; Qc = 12 л/с; Qd = 8 л/с; на пятом участке равномерная раздача воды с путевым расходом Qпут. = 15 л/с. Определить высоту водонапорной башни (H), рассчитать диаметры труб на первом и третьем участках системы при условии, что эксплуатационная скорость vэкс. < 1,4 м/с. Принять l1 = 500 м; l3 = 450 м; d2 = 150 мм; l2 = 550 м; d4 = 125 мм; l4 = 600 м; d5 = 150 мм; l5 = 700 м. Потери напора в местных сопротивлениях составляют 5 % от потерь по длине. Построить пьезометрическую линию. |
69788. Из водонапорной башни А, на поверхности воды в которой действует избыточное давление (Pман), по трём последовательно соединённым трубам подаётся вода трём потребителям с расходами: Qb = 15 л/с; Qc = 8 л/с; Qd = 12 л/с. Диаметры и длины участков системы принять: d1 = 200 мм, l1 = 700 м; d2 = 150 мм, l2 = 600 м; d3 = 125 мм, l3 = 500 м. Остаточный (свободный) напор у потребителя D должен быть не менее 10 м (hост.D > 10 м). Действующий напор водонапорной башни H = 15 м считать постоянным (рис. ). Определить, каким должно быть показание манометра (Pман) на поверхности воды в башне для обеспечения водой потребителей при условии, что местные сопротивления составляют 10 % от потерь по длине. Трубы водопроводные нормальные. Построить пьезометрическую линию. |
69801. На водонапорной станции установлен трёхкамерный отстойник. В стенках отстойника сделаны отверстия с площадями живых сечений: w1 = 3 дм2; w2 = 2 дм2; к третьему отверстию присоединён внешний цилиндрический насадок площадью сечения w3 = 1,2 дм2. Уровни воды в камерах постоянны. Общий напор Н = 3,0 м. Определить распределение напоров h1, h2, h3 и расход воды (Q), вытекающей из отстойника. Считать стенки отстойника тонкими (рис. ). |
69802. Имеется сплавной германиевый p-n-переход с концентрацией Nд = 10^3 Na, причем на каждые 10^8 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре Т = 300 К (концентрации атомов N и ионизованных атомов ni принять равными 4,4*10^22 и 2,5*10^13 см^-3 соответственно). |
69803. Удельное сопротивление р-области германиевого р-n-перехода рр = 2 Ом*см, удельное сопротивление n-области рn = 1 Ом*см. Вычислить контактную разносгь потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т = 300 К, если подвижности электронов и дырок в германии соответственно равны цn = 0,39 и цр = 0,19 м2/(В*с). |
69804. Германиевый сплавной p-n-переход имеет обратный ток насыщения l0 = 1 мкА, а кремниевый с такими же размерами — ток l0 = 10^-8 А. Вычислить и сравнить прямые напряжения на переходах при Т = 293 К, если через каждый диод протекает ток 100 мА. |
69805. Кремниевый р-n-переход имеет следующие данные: ширина p-n-перехода d = 10^-3 см, концентрация акцепторных примесей Na = 10^19 см^-3, концентрация донорных примесей Nд = 2*10^16 см^-3, площадь поперечного сечения П = 10^-4 см2, длина областей ln = 10^-4 см, lр = 10^-3 см, коэффициенты диффузии неосновных носителей Dp = 8 см2/с; Dn = 25 см2/с, концентрация собственных носителей заряда ni = 1,5*10^10 см^-3. Определить: а) обратный ток насыщения l0, б) прямой ток и падение напряжения на объемах р- и n-областей при прямом напряжении, равном 0,65 В. |
69806. Германиевый диод, имеющий обратный ток насыщения l0 = 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В, Т = 300 К. Определить сопротивление диода постоянному току R0 и дифференциальное сопротивление rдиф. |
69807. Для идеального р-n-перехода определить: а) напряжение, при котором обратный ток будет достигать 90 % значения обратного тока насыщения при Т = 300 К; б) отношение тока при прямом напряжении, равном 0,05 В, к току при том же значении обратного напряжения. |
69808. В некотором идеальном р-n-переходе обратный ток насыщения l0 = 10^-14 А при Т = 300 К и l0 = 10^-9 А при T = 125°С. Определить напряжения на р-n-переходе в обоих случаях, если прямой ток равен 1 мА. |
69809. Определить, во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения сплавного р-n-перехода диода, если температура увеличивается: а) от 20 до 80°С для германиевого диода; б) от 20 до 150°С для кремниевого диода. |
69810. Барьерная емкость диода равна 200 пФ при обратном напряжении 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до 50 пФ, если контактная разность потенциалов фк = 0,82 В? |
69811. Обратный ток насыщения диода с барьером Шотки равен 2 мкА. Диод соединен последовательно с резистором и источником постоянного напряжения смещения Е = 0,2 В так, что на диод подается прямое напряжение. Определить сопротивление резистора, если падение напряжения на нем равно 0,1 В. Диод работает при T = 300 К. |
69812. Определить ток диода I с идеализированной ВАХ, текущий в цепи, показанной на рис. ,а, если Е = 5 В, R = 1 кОм, обратный ток насыщения l0 = 10^-12 А, температура Т = 300 К. |
69813. Идеальный диод включен в схему; изображенную рис. Определить выходное напряжение. |
69814. Определить выходное напряжение в схеме, изображенной на рис. , если при комнатной температуре используется кремниевый диод, имеющий обратный ток насыщения l0 = 10 мкА. |
69815. Определить выходное переменное напряжение Uвых схемы на рис. , если работа происходит при комнатной температуре. |
69816. Дана цепь, изображенная на рис. ,а. Определить значение и форму выходного напряжения U2, предполагая, что диод представляет собой идеальный вентиль. ВАХ диода и его эквивалентная схема изображены на рис. ,б,в соответственно. |
69817. Диод представлен моделью для большого сигнала (рис. ,а) и имеет ВАХ, изображенную на рис. ,б. Определить ток в цепи, показанной на рис ,в. Сравнить результат с ответом, полученным в задаче 1.11. Считать, что диод кремниевый. |
69818. Рассчитать простейшую схему выпрямителя без сглаживающего фильтра для выпрямления синусоидального напряжения с действующим значением U = 700 В, используя диоды типа Д226Б. |
69819. Составить и рассчитать выпрямительную цепь, позволяющую получить выпрямленный ток lвыпр = 400 мА, если используются диоды Д226. |
69820. Сплавной диод работает в простейшей схеме выпрямления с резистором нагрузки Rн = 10 кОм (рис. ,15). Диод имеет Rпp = 40 Ом, Rобp = 400 кОм и С = 80 пФ. Найти частоту, на которой выпрямленный ток за счет влияния этой емкости уменьшится в два раза. |
69821. Для стабилизации напряжения на нагрузке (рис. ) используется полупроводниковый стабилитрон, напряжение стабилизации которого Uст = 10 В. Определить допустимые пределы изменения питающего напряжения, если максимальный ток стабилитрона Iст.maх = 30 мА, минимальный ток стабилитрона lст.min = 1 мА, сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм и сопротивление ограничительного резистора Rогр = 0,5 кОм. |
69822. Кремниевый стабилитрон типа Д813 включен в схему стабилизатора напряжения параллельно с резистором Rн = 2,2 кОм (рис. ). Параметры стабилитрона: напряжение стабилизации Uст = 13 В, максимальный ток lст.mах = 20 мА, минимальный ток lст.min = 1 мА. Найти сопротивление ограничительного резистора Rогр, если напряжение источника Е меняется от Emin = 16 В до Emах = 24 В. Определить, будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения напряжения источника. |
69823. Барьерная емкость полупроводникового диода с резким переходом равна 25 пФ при обратном напряжении 5 В. Определить уменьшение емкости при снижении обратного напряжения до 7 В. |
69824. Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов р-n-р и n-р-n. Показать полярности питающих напряжений для случаев работы транзистора: а) в активном режиме; б) в режиме отсечки; в) в режиме насыщения; г) при инверсном включении. На обеих схемах показать направления токов эмиттера lэ, коллектора lк, базы lб для всех рассмотренных случаев. |
69825. Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ (рис. ,б). В каком режиме работает транзистор, если: а) напряжение база - эмиттер Uбэ = -0,4 В и напряжение коллектор - эмиттер Uкэ = -0,3 В; б) напряжение Uбэ = -0,4 В и напряжение Uкэ = -10 В; в) напряжение Uбэ = 0,4 В и напряжение Uкэ = -10 В? |
69826. Транзистор типа n-р-n включен по схеме ОБ. Напряжение эмиттер - база Uэб = -0,5 В, напряжение коллектор - база Uкб = 12 В. Определить напряжение коллектор - эмиттер. |
69827. Транзистор типа р-n-р включен по схеме ОЭ. Напряжение база - эмиттер Uбэ = -0,8 В, напряжение коллектор - эмиттер Uкэ = -10 В. Определить напряжение коллектор - база. |
69828. В транзисторе n-р-n избыточная концентрация электронов на эмиттерном переходе равна 10^20 м^-3. Площади переходов П = 1*10^-6 м2 одинаковы. Построить график примерного распределения концентрации электронов в области базы и определить ток коллектора, если эффективная ширина базы равна 4*10^-5 м и при Т = 300 К подвижность электронов цn = 0,39 м2/(В*с). |
69829. В p-n-p-транзисторе площади эмиттерного и коллекторного переходов одинаковы и равны 1*10^-6 м2, коэффициент диффузии дырок в базе Dр = 4,7*10^-3 м2/с. При Uкб = -1 В распределение концентрации дырок в базе имеет вид, показанный на рис. Требуется: а) пренебрегая токами утечки, определить ток эмиттера, обусловленный дырками; б) вычислить дифференциальное сопротивление между коллектором и базой при Uкб = -16 В, если толщина обедненного носителями заряда слоя коллекторного перехода wK = (1 + |/ |Uкб|) 10^-6 м. Предположить, что условия на переходе эмиттер - база не изменяются и соответствуют условиям, показанным на рис . |
69830. Транзистор, имеющий параметры а = 0,995, аi = 0,1, lэбк = 10^-14 А, lкбк = 10^-13 А, включен в схему, изображенную на рис. Определить напряжение коллектор - эмиттер Uкэ, а также токи lэ, lк, lб. |
69831. На рис. ,a,б изображены входные и выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ. Требуется построить характеристику передачи тока lк = f(lб) при Uкэ = -5 В = const и характеристику передачи lк = f(Uбэ) при Uкэ = -5 B = const. |
69832. Транзистор р-n-р включен в схему с общей базой. Показать, что дифференциальное сопротивление эмиттера можно приближенно вычислить по формуле rЭ ~ kТ/(еlэ), где lэ — ток эмиттера. Вычислите rЭ при Т = 300 К, если lэ = 2 мА. |
69833. Пользуясь схемой замещения транзистора, включенного по схеме ОБ (рис. ,а), установить зависимость между собственными параметрами и параметрами системы h. |
69834. Установить связь между z-параметрами и y-параметрами транзистора. |
69835. Выразить параметры транзистора h12э и h11э в схеме ОЭ через h-параметры транзистора в схеме ОБ. |
69836. Определить, являются ли совместимыми типовые значения параметров некоторого транзистора, включенного по схеме ОБ: h11б = 30 Ом; h12б = 4*10^-3; h21б = -0,97; h22б = 1*10^-6 Cм. Параметры заданы для рабочей точки: Uкб = -5 В: lэ = 1 мА. |
69837. В цепи, изображенной на рис. ,а, Eк = -10 В, Rн = 2 кОм, Rэ = 1 кОм. Определить входное сопротивление цепи, если коэффициент передачи тока базы транзистора b = 50. |
69838. Дана схема, изображенная на рис Известно, что транзистор работает в активном режиме. Предполагая, что сопротивление резистора Rэ достаточно велико по сравнению с сопротивлением эмиттерного перехода и что сопротивление коллекторного перехода rк >> Rн, найти коэффициент усиления по напряжению Ku. |
69839. В схеме на рис. Rэ = 5 кОм, Rн = 10 кОм, Eэ = 10 В, Ек = 30 В. Определить напряжение коллектор — база Uкб. |
69840. В схеме на рис. Eэ = 2 В, Rэ = 2 кОм, Rб = 15 кОм, Eб = 3 В, Rн = 4 кОм, Ек = 16 В. Транзистор имеет параметры: а = 0,98; lкбо = 10 мкА. Определить ток коллектора. |
69841. Дана схема, изображенная на рис Доказать, что ток коллектора в этой схеме может быть вычислен по следующей приближенной формуле: lк ~ b(Eк + lкбоRб)/(Rб + bRн). |
69842. В схеме, изображенной на рис. , используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы b = 50 и обратным током коллекторного перехода lкбо = 10 мкА. Известно, что Rб = 10 кОм, Еэ = 1 В, Rн = 5 кОм, Ек = 20 В. Определить напряжение коллектор — эмиттер при разомкнутом и замкнутом ключе, считая, что коэффициент b неизменен. |
69843. Транзистор используется в схеме, показанной на рис. Данные схемы: Eк = -28 В, Rб = 15 кОм, Rэ = 1 кОм, Rн = 2 кОм. Определить, при каком минимальном входном напряжении транзистор будет работать в режиме насыщения. Принять, что на границе режима насыщения b = 9. |
69844. В схеме на рис. используется транзистор с коэффициентом передачи тока эмиттера а = 0,99 и обратным током коллектора lкбо = 10 мкА. Данные схемы: Rэ = -3 кОм, Rн = 2 кОм, Eк = 20 В. Определить, при каком минимальном значении входного напряжения транзистор будет работать в режиме насыщения. |
69845. В схеме на рис. (Rб = 50 кОм, Rн = 10 кОм, Eк = 24 В) используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы b = 19. Определить напряжение коллектор - эмиттер. |
69846. Транзистор, работающий в активном режиме, используется в схеме на рис Найти коэффициент усиления по току Kl = dlн/dlвх. |
69847. Транзистор, используемый в схеме усилителя ОЭ, имеет следующие параметры: h11э = 1,4 кОм, h21э = 45, h12э = 4,3*10^-4, h22э = 18 мкСм. Сопротивление резистора нагрузки Rн = 16 кОм, внутреннее сопротивление источника сигнала Ri = 300 Ом. Определить входное сопротивление Rвx, выходное сопротивление Rвыx, коэффициенты усиления по току Ki, по напряжению Кl и мощности Кp. |
69848. Транзистор включен в усилительный каскад по схеме ОЭ. Каскад питается от одного источника с напряжением Е = 10 В. Для подачи смещения в цепь базы используется резистор Rб (рис. ). Характеристики транзистора изображены на рис. ,а,б. Известно, что постоянная составляющая тока базы lБ0 = 0,3 мА, амплитуда переменной составляющей тока базы lmб = 0,2 мА, сопротивление резистора нагрузки Rн = 500 Ом, а максимально допустимая мощность, рассеиваемая коллектором, Рк mах = 150 мВт. Требуется: а) построить линию Рк mах; б) по выходным характеристикам найти постоянную составляющую тока коллектора lK0, постоянную составляющую напряжения коллектор - эмиттер UKЭ0, амплитуду переменной составляющей тока коллектора lmк, амплитуду выходного напряжения UmR = UmКЭ, коэффициент усиления по току Кi, выходную мощность Рвых, мощность, рассеиваемую на нагрузке постоянной составляющей тока коллектора, РR0, полную потребляемую мощность в коллекторной цепи Р0, КПД коллекторной цепи h. Проверить, не превышает ли мощность РК0, выделяемая на коллекторе в режиме покоя, максимально допустимую мощность РК mах; в) с помощью входных характеристик определить напряжение смещения UБЭ0, амплитуду входного сигнала Umбэ, входную мощность Рвх, коэффициент усиления по напряжению Кu и по мощности Кp, входное сопротивление каскада Rвх, сопротивление резистора Rб и емкость разделительного конденсатора Ср. Диапазон частот усиливаемых колебаний 80 Гц — 5 кГц. |
69849. Для рабочей точки усилителя, рассмотренного в задаче 2.44, найти параметры h21э, h22э, Rвых = 1/h22э, h11э и у21э = S и аналитически рассчитать величины Кi, Ku, Кp, Rвх. |
69850. Чему равна максимально допустимая мощность транзистора ГТ108А, находящегося в воздушной среде при температуре Т = 20°С, если тепловое сопротивление переход — окружающая среда Rnc составляет 0,8 К/мВг, а максимально допустимая температура перехода Tп mах = 80°С? |
69851. На выходных характеристиках транзистора ГТ108А для схемы ОЭ (рис. ) построить линии максимально допустимой мощности при температуре окружающей среды 30 и 50°С, если максимально допустимая температура перехода Tп max = 80°C и тепловое сопротивление переход - среда Rnс = 0,8 К/мВт. |
Сборники задач
Задачи по общей физике Иродов И.Е., 2010 |
Задачник по физике Чертов, 2009 |
Задачник по физике Белолипецкий С.Н., Еркович О.С., 2005 |
Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ Волькенштейн В.С., 2008 |
Сборник задач по курсу физики Трофимова Т.И., 2008 |
Физика. Задачи с ответами и решениями Черноуцан А.И., 2009 |
Сборник задач по общему курсу физики Гурьев Л.Г., Кортнев А.В. и др., 1972 |
Журнал Квант. Практикум абитуриента. Физика Коллектив авторов, 2013 |
Задачи по общей физике Иродов И.Е., 1979 |
Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс. Гольдфарб Н.И., 1982 |
Все задачники... |
Статистика решений
Тип решения | Кол-во |
подробное решение | 62 245 |
краткое решение | 7 659 |
указания как решать | 1 407 |
ответ (символьный) | 4 786 |
ответ (численный) | 2 395 |
нет ответа/решения | 3 406 |
ВСЕГО | 81 898 |