Earth curvature of space2 curvature of space1
Банк задач

Задача FIZMATBANK.RU

Вход на сайт
Регистрация
Забыли пароль?
Статистика решений
Тип решенияКол-во
подробное решение60032
краткое решение7560
указания как решать1341
ответ (символьный)4704
ответ (численный)2335
нет ответа/решения3772
ВСЕГО79744
Задачники
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 2010
 
Задачник по физике
Чертов, 2009
 
Сборник задач по курсу физики
Трофимова Т.И., 2008
 
Сборник задач по общему курсу физики
Волькенштейн В.С., 1997
 
Физика. Задачи для поступающих в ВУЗы
Бендриков Г.А.,Буховцев Б.Б.,Керженцев В.В.,Мякишев Г.Я., 2005
 
Физика. Методические указания и контрольные задания.
Чертов А.Г., 1987
 
Физика. Задачи с ответами и решениями
Черноуцан А.И., 2009
 
Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ
Волькенштейн В.С., 2008
 
Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс.
Гольдфарб Н.И., 1982
 
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 1979
 
Сборник задач по физике
Кашина С.И., Сезонов Ю.И., 2010
 
Сборник задач по физике
Козел С.М., Баканина Л.П., Белонучкин В.Е. и др., 1971
 

Описание задачи ID=80666

Задачник: Всероссийская олимпиада школьников по физике, Фольклор

Рубрика: Электродинамика / Другое

Олимпиада: Всероссийская, 2013 г., 11 класс

Барьер Шоттки Можно считать, что при комнатной температуре в полупроводнике п-типа (с электронной проводимостью) все атомы донорной примеси ионизированы (каждый отдал по 1 электрону). Электроны этих атомов являются свободными носителями заряда (основные носители), а ионизированные доноры «закреплены» в узлах кристаллической решётки. При напылении на поверхность такого полупроводника металлического контакта, все основные носители из прилегающей к металлу области полупроводника шириной D переходят в металл, а непосредственно под контактом образуется область объёмного заряда ионизированных доноров (барьер Шоттки). Между металлическим контактом и объёмом полупроводника возникает контактная разность потенциалов Uk (рис.). Вычислите толщину D барьера Шоттки, если донорная примесь распределена в полупроводнике однородно с концентрацией Nd = 10^16 см-3, контактная разность потенциалов Uk = 0,7 В, а диэлектрическая проницаемость полупроводникового кристалла е = 13. Заряд электрона е = 1,6*10^-19 Кл, электрическая постоянная e0 = 8,85*10^-12 Ф/м.

Решение
Подробное решение
БЕСПЛАТНО
Введите результат:

Тэги: 4 этап

Рейтинг:

 (голосов: 0)

 

Решения пользователей (0)