Earth curvature of space2 curvature of space1
Банк задач

Задача FIZMATBANK.RU

Вход на сайт
Регистрация
Забыли пароль?
Статистика решений
Тип решенияКол-во
подробное решение61157
краткое решение7600
указания как решать1387
ответ (символьный)4710
ответ (численный)2385
нет ответа/решения3604
ВСЕГО80843
Задачники
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 2010
 
Задачник по физике
Чертов, 2009
 
Физика. Задачи с ответами и решениями
Черноуцан А.И., 2009
 
Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ
Волькенштейн В.С., 2008
 
Сборник задач по курсу физики
Трофимова Т.И., 2008
 
Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс.
Гольдфарб Н.И., 1982
 
Сборник задач по общему курсу физики
Волькенштейн В.С., 1997
 
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 1979
 
Физика. Методические указания и контрольные задания.
Чертов А.Г., 1987
 
Сборник задач по физике
Кашина С.И., Сезонов Ю.И., 2010
 
Физика. Задачи для поступающих в ВУЗы
Бендриков Г.А.,Буховцев Б.Б.,Керженцев В.В.,Мякишев Г.Я., 2005
 
Задачи физических олимпиад
Кембровский Г.С., 2000
 

Описание задачи ID=80666

Задачник: Всероссийская олимпиада школьников по физике, Фольклор

Рубрика: Электродинамика / Другое

Олимпиада: Всероссийская, 2013 г., 11 класс

Барьер Шоттки Можно считать, что при комнатной температуре в полупроводнике п-типа (с электронной проводимостью) все атомы донорной примеси ионизированы (каждый отдал по 1 электрону). Электроны этих атомов являются свободными носителями заряда (основные носители), а ионизированные доноры «закреплены» в узлах кристаллической решётки. При напылении на поверхность такого полупроводника металлического контакта, все основные носители из прилегающей к металлу области полупроводника шириной D переходят в металл, а непосредственно под контактом образуется область объёмного заряда ионизированных доноров (барьер Шоттки). Между металлическим контактом и объёмом полупроводника возникает контактная разность потенциалов Uk (рис.). Вычислите толщину D барьера Шоттки, если донорная примесь распределена в полупроводнике однородно с концентрацией Nd = 10^16 см-3, контактная разность потенциалов Uk = 0,7 В, а диэлектрическая проницаемость полупроводникового кристалла е = 13. Заряд электрона е = 1,6*10^-19 Кл, электрическая постоянная e0 = 8,85*10^-12 Ф/м.

Решение
Подробное решение
БЕСПЛАТНО
Введите результат:

Тэги: 4 этап

Рейтинг:

 (голосов: 0)

 

Решения пользователей (0)