Earth curvature of space2 curvature of space1
Банк задач

Задача FIZMATBANK.RU

Вход на сайт
Регистрация
Забыли пароль?
Статистика решений
Тип решенияКол-во
подробное решение60032
краткое решение7560
указания как решать1341
ответ (символьный)4704
ответ (численный)2335
нет ответа/решения3772
ВСЕГО79744
Задачники
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 2010
 
Задачник по физике
Чертов, 2009
 
Сборник задач по курсу физики
Трофимова Т.И., 2008
 
Сборник задач по общему курсу физики
Волькенштейн В.С., 1997
 
Физика. Задачи для поступающих в ВУЗы
Бендриков Г.А.,Буховцев Б.Б.,Керженцев В.В.,Мякишев Г.Я., 2005
 
Физика. Методические указания и контрольные задания.
Чертов А.Г., 1987
 
Физика. Задачи с ответами и решениями
Черноуцан А.И., 2009
 
Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ
Волькенштейн В.С., 2008
 
Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс.
Гольдфарб Н.И., 1982
 
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 1979
 
Сборник задач по физике
Кашина С.И., Сезонов Ю.И., 2010
 
Сборник задач по физике
Козел С.М., Баканина Л.П., Белонучкин В.Е. и др., 1971
 

Описание задачи ID=74862

Рубрика: Другое / разные задачи

Рассмотреть полупроводник со структурой сфалерита, в котором минимум наинизшей зоны проводимости расположен в окрестности k = 0 (например, lnР). Используя k*p-приближение гамильтониана для электронов [33] и двухзонную модель, разложить энергию электрона в зоне проводимости в ряд по степеням |k| в окрестности минимума k = 0 (в двухзонной модели учитывается только k*p-взаимодействие между наинизшей зоной проводимости и верхней валентной зоной). Считать, что все другие состояния весьма удалены и не вносят существенного вклада в k*р-взаимодействие. Состояние электрона в зоне проводимости при k = 0 является состоянием s-типа (Г1), а состояние электрона в валентной зоне — состоянием р-типа (Г15), причем трехкратно вырожденным (пренебрегаем спин-орбитальным взаимодействием). Используя полученные результаты, определить «оптическую эффективную массу» [34] электронов в этом материале, т.е. массу m*, которая входит в выражение, определяющее вклад свободных носителей в диэлектрическую проницаемость, de = 4пNe2/w2m*, (15.14.1) и ее зависимость от концентрации носителей. Считать полупроводник полностью вырожденным. Для каких из полупроводников InSb, GaAs, InAs, GaSb, InP, AlSb, GaP допустимо пренебрежение спин-орбитальным расщеплением?

Решение
Подробное решение
Стоимость: 10 руб.
Чтобы получить решение нужно зарегистрироваться и войти на сайт

Рейтинг:

 (голосов: 0)

 

Решения пользователей (0)


Дополнительные решения станут доступны после получения основного решения