Earth curvature of space2 curvature of space1
Банк задач

Задача FIZMATBANK.RU

Вход на сайт
Регистрация
Забыли пароль?
Статистика решений
Тип решенияКол-во
подробное решение61157
краткое решение7600
указания как решать1387
ответ (символьный)4710
ответ (численный)2385
нет ответа/решения3604
ВСЕГО80843
Задачники
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 2010
 
Задачник по физике
Чертов, 2009
 
Физика. Задачи с ответами и решениями
Черноуцан А.И., 2009
 
Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ
Волькенштейн В.С., 2008
 
Сборник задач по курсу физики
Трофимова Т.И., 2008
 
Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс.
Гольдфарб Н.И., 1982
 
Задачи по общей физике
Иродов И.Е., 1979
 
Сборник задач по общему курсу физики
Волькенштейн В.С., 1997
 
Сборник задач по физике
Кашина С.И., Сезонов Ю.И., 2010
 
Физика. Задачи для поступающих в ВУЗы
Бендриков Г.А.,Буховцев Б.Б.,Керженцев В.В.,Мякишев Г.Я., 2005
 
Физика. Методические указания и контрольные задания.
Чертов А.Г., 1987
 
Задачи физических олимпиад
Кембровский Г.С., 2000
 

Описание задачи ID=74862

Рубрика: Другое / разные задачи

Рассмотреть полупроводник со структурой сфалерита, в котором минимум наинизшей зоны проводимости расположен в окрестности k = 0 (например, lnР). Используя k*p-приближение гамильтониана для электронов [33] и двухзонную модель, разложить энергию электрона в зоне проводимости в ряд по степеням |k| в окрестности минимума k = 0 (в двухзонной модели учитывается только k*p-взаимодействие между наинизшей зоной проводимости и верхней валентной зоной). Считать, что все другие состояния весьма удалены и не вносят существенного вклада в k*р-взаимодействие. Состояние электрона в зоне проводимости при k = 0 является состоянием s-типа (Г1), а состояние электрона в валентной зоне — состоянием р-типа (Г15), причем трехкратно вырожденным (пренебрегаем спин-орбитальным взаимодействием). Используя полученные результаты, определить «оптическую эффективную массу» [34] электронов в этом материале, т.е. массу m*, которая входит в выражение, определяющее вклад свободных носителей в диэлектрическую проницаемость, de = 4пNe2/w2m*, (15.14.1) и ее зависимость от концентрации носителей. Считать полупроводник полностью вырожденным. Для каких из полупроводников InSb, GaAs, InAs, GaSb, InP, AlSb, GaP допустимо пренебрежение спин-орбитальным расщеплением?

Решение
Подробное решение
Стоимость: 10 руб.
Вы не авторизованы.
Как получить решение указано тут

Рейтинг:

 (голосов: 0)

 

Решения пользователей (0)


Дополнительные решения станут доступны после получения основного решения