База задач ФизМатБанк
| 80143. Получить формулу, заменяющую (11.7), для тела, находящегося не в пустоте, а в среде с диэлектрической проницаемостью e(e) |
| 80144. Определить изменение объема и электрокалорический эффект для диэлектрического эллипсоида в однородном электрическом поле, параллельном одной из его осей. |
| 80145. Определить разность теплоемкости Eф плоскопараллельной пластинки в перпендикулярном к ней поле при постоянной разности потенциалов между ее сторонами и теплоемкости ED при постоянной индукции; в обоих случаях внешнее давление поддерживается постоянным. |
| 80146. Определить злектрокалорический эффект в однородном диэлектрике, полный объем которого поддерживается постоянным. |
| 80147. Определить разность Eф - ED (см. задачу 2) при постоянном полном объеме пластинки. |
| 80148. Конденсатор состоит из двух проводящих поверхностей, находящихся на расстоянии h друг от друга, малом по сравнению с размерами обкладок; пространство между обкладками заполнено веществом с диэлектрической проницаемостью e1. В конденсатор вводится шарик радиуса а << h с диэлектрической проницаемостью е2. Определить изменение емкости конденсатора. |
| 80149. Определить поле, создаваемое в пустоте пироэлектрическим шаром. |
| 80150. Определить поле точечного заряда в однородной анизотропной среде. |
| 80151. Определить емкость проводящего шара (радиуса а), погруженного в анизотропную диэлектрическую среду. |
| 80152. Определить поле в плоскопараллельной анизотропной пластинке, находящейся во внешнем однородном поле E. |
| 80153. Определить момент сил, действующих на анизотропный диэлектрический шар, находящийся (в пустоте) во внешнем однородном поле E. |
| 80154. В неограниченной анизотропной среде имеется сферическая полость. Выразить поле в полости через однородное поле E(e) в среде вдали от полости. |
| 80155. Диэлектрический шар (радиуса а), находящийся во внешнем однородном поле E, разрезан на две половины плоскостью, перпендикулярной к направлению поля. Определить силу притяжения между полушариями. |
| 80156. Определить изменение формы диэлектрического шара во внешнем однородном электрическом поле. |
| 80157. Определить объемные силы в изотропном твердом диэлектрике при наличии в нем сторонних зарядов; тело предполагается однородным. |
| 80158. Определить отличные от нуля компоненты yi, kl для непирозлектрических кристаллических классов, допускающих пьезоэлектричество. |
| 80159. Определить отличные от нуля компоненты yi,kl для кристаллических классов, допускающих пироэлектричество. |
| 80160. Определить модуль Юнга (коэффициент пропорциональности между растягивающим напряжением и относительным удлинением) для плоскопараллельной пластинки непирозлектрического пьезоэлектрика в следующих случаях: а) пластинка растягивается обкладками закороченного конденсатора; б) пластинка растягивается обкладками незаряженного конденсатора; в) пластинка растягивается параллельно своей плоскости в отсутствие внешнего поля. |
| 80161. Получить уравнение, определяющее скорость звука в пьезоэлектрической среде. |
| 80162. Пьезоэлектрический кристалл, относящийся к классу C6v, ограничен плоской поверхностью (плоскость xz), проходящей через ось симметрии (ось z). Найти скорость поверхностных волн, распространяющихся перпендикулярно оси симметрии (вдоль оси x); в волне испытывают колебания смещение uz и потенциал электрического поля ф. |
| 80163. В проводящую среду погружена система электродов, поддерживаемых при постоянных потенциалах фа. С каждого из электродов стекает ток Jа. Определить полное джоулево тепло, выделяющееся в среде в 1 секунду. |
| 80164. Определить распределение потенциала в проводящей сфере, в которую ток J входит через один полюс и выходит через противоположный. |
| 80165. Показать, что распределение тока в проводящей среде отвечает минимуму диссипации энергии. |
| 80166. Выразить компоненты обратного тензора s^-1ik через компоненты sik и а. |
| 80167. Две параллельные плоские пластинки (из одинакового металла А) погружены в раствор электролита АХ. Найти зависимость плотности тока от приложенной к пластинкам разности потенциалов. |
| 80168. Определить скалярный потенциал магнитного поля замкнутого линейного тока. |
| 80169. Определить магнитное поле линейного кругового тока (радиуса a). |
| 80170. Определить магнитное поле в цилиндрическом отверстии в цилиндрическом (бесконечно длинном) проводнике, вдоль которого течет ток, равномерно распределенный по его сечению (рис ). |
| 80171. Вывести формулу (6) для векторного потенциала поля вдали от токов из формулы (2) |
| 80172. Определить магнитное поле, создаваемое линейным током в магнитно-анизотропной среде. |
| 80173. Определить самоиндукцию замкнутого тонкого провода с круговой формой сечения. |
| 80174. Определить самоиндукцию тонкого кольца (радиуса b) из провода кругового сечения (радиуса а). |
| 80175. Определить растяжение кольцевого провода (с цi = 1) под действием магнитного поля протекающего по нему тока. |
| 80176. Определить самоиндукцию единицы длины двойного провода, состоящего из двух параллельных прямых проволок (с цi = 1) кругового сечения (радиусов а и b), отстоящих на расстояние h между их осями, причем по этим проволокам текут равные и противоположные токи J (рис. ). |
| 80177. Определить самоиндукцию тороидального соленоида. |
| 80178. Определить поправку первого порядка по l/h к выражению () (с цe = 1) для самоиндукции цилиндрического соленоида, связанную с искажением поля вблизи его концов. |
| 80179. Определить, во сколько раз изменится самоиндукция плоского линейного контура, если поместить его на плоскую поверхность полубесконечной среды с магнитной проницаемостью це. Внутренней частью самоиндукции провода пренебрегаем. |
| 80180. Определить силу, действующую на линейный прямой провод с током J, расположенный параллельно бесконечному круговому цилиндру (с магнитной проницаемостью ц) радиуса а на расстоянии l от его оси. |
| 80181. Перечислить магнитные классы, допускающие ферромагнетизм. |
| 80182. Одноосный ферромагнитный кристалл имеет форму эллипсоида вращения (причем его ось легкого намагничения совпадает с осью вращения) и помещен во внешнее магнитное поле h. Определить область значений h, при которых тело будет обладать доменной структурой. |
| 80183. Для поликристаллического тела в сильном (Н >> 4пМ) магнитном поле определить усредненную по кристаллитам намагниченность; кристаллиты обладают одноосной симметрией. |
| 80184. Для поликристаллического тела в сильном (H >> 4п M) магнитном поле определить усредненную по кристаллитам намагниченность; кристаллиты обладают кубической симметрией. |
| 80185. Найти относительное растяжение ферромагнитного кубического кристалла в зависимости от направления намагниченности m и направления измерения n. |
| 80186. Определить изменение объема при магнитострикции ферромагнитного эллипсоида во внешнем поле h ~ 4пМ, параллельном одной из его осей; ферромагнетик предполагается кубическим. |
| 80187. Определить поверхностное натяжение доменной стенки в кубическом ферромагнетике с осями легкого намагничения вдоль ребер куба (оси х, у, z). Домены намагничены параллельно и антипараллельно оси z, а доменная стенка расположена: а) параллельно плоскости (100); б) параллельно плоскости (110). |
| 80188. Найти структуру доменной стенки в плоскости (100), поверхностное натяжение которой вычислено в задаче 1a. |
| 80189. В таком же кристалле найти поверхностное натяжение доменной стенки, разделяющей домены, намагниченные в направлениях [001] и [010] (оси z и у) в случаях: а) стенка параллельна плоскости (100), б) стенка параллельна плоскости (011). |
| 80190. Найти поверхностное натяжение доменной стенки в одноосном кристалле, если переход между доменами осуществляется путем изменения величины вектора M без его поворота — направление M меняется на противоположное при прохождении М через нуль. Зависимость свободной энергии от M (при H = 0) берется в виде разложения (), отвечающего близости к точке Кюри (В.А. Жирнов, 1958). |
| 80191. Определить энергию магнитного поля вблизи поверхности ферромагнетика, к которой выходят перпендикулярные к ней плоскопараллельные домены без изменения направления своей намагниченности (рис. а). |
| 80192. Найти отличные от нуля компоненты пьезомагнитного тензора в антиферромагнетике FеСО3 (структура, изображенная на рис. ). |
| 80193. Найти отличные от нуля компоненты пьезомагнитного тензора для кристалла, относящегося к магнитному классу D4h(D2h). |
| 80194. Найти отличные от нуля компоненты магнитоэлектрического тензора для антиферромагнетика Cr2O3. Этот кристалл относится к кристаллографической пространственной группе 6D3d и содержит в каждой элементарной ячейке 4 атома Cr, занимающих положения в эквивалентных точках u, 1/2 - u, 1/2 + u, 1 - u (u < 1/4) на тригональной оси; их магнитные моменты лежат вдоль этой же оси, как показано на рис. |
| 80195. Определить магнитный момент сверхпроводящего диска в перпендикулярном к нему внешнем магнитном поле. |
| 80196. Определить теплоемкость эллипсоида в промежуточном состоянии. |
| 80197. Определить магнитную поляризуемость изотропного проводящего шара радиуса а в однородном периодическом внешнем поле. |
| 80198. Определить магнитную поляризуемость изотропного проводящего цилиндра (радиуса a) в однородном периодическом магнитном поле, перпендикулярном к его оси. |
| 80199. Определить магнитную поляризуемость изотропного проводящего цилиндра (радиуса a) в однородном периодическом магнитном поле, параллельном его оси. |
| 80200. Определить наименьший из коэффициентов затухания магнитного поля в проводящем шаре. |
| 80201. Плоская поверхность одноосного металлического кристалла вырезана таким образом, что нормаль к ней образует угол Q с главной осью симметрии кристалла. Определить поверхностный импеданс с учетом термоэлектрического эффекта. |
| 80202. Определить собственные частоты электрических колебаний в двух индуктивно связанных контурах, содержащих самоиндукции L1 и L2 и емкости С1 и C2; сопротивлениями R1 и R2 пренебрегаем. |
| 80203. Определить собственные частоты электрических колебаний для цепи из параллельно соединенных сопротивления R, емкости C и самоиндукции L. |
| 80204. Рассмотреть распространение электрических колебаний по цепи, составленной из бесконечной последовательности одинаковых ячеек, содержащих импедансы Z1 = -i(w/c2 L1 - 1/wC1), Z2 = -i(w/c2 L2 - 1/wC2), как это показано на рис. Найти область частот колебаний, которые могут распространяться вдоль цепи без затухания. |
| 80205. Определить магнитный момент проводящего шара (с ц = 1), равномерно вращающегося в однородном постоянном магнитном поле; определить действующий на шар момент сил. |
| 80206. Определить электродвижущую силу униполярной индукции, возникающую между полюсом и экватором (см. рис. ) однородно намагниченного шара, равномерно вращающегося вокруг оси, совпадающей с направлением намагничения. |
| 80207. Определить полный заряд, протекающий по линейному замкнутому контуру при изменении (по любой причине) магнитного потока через него от одного постоянного значения (Ф1) до другого (Ф2). |
| 80208. Определить магнитный момент неравномерно вращающегося шара (радиуса а). Скорость вращения предполагается настолько малой, что глубина проникновения d >> а. |
| 80209. Определить полный заряд, который протечет по тонкому круговому кольцу при остановке его равномерного вращения вокруг оси, перпендикулярной к его плоскости. |
| 80210. Определить ток, возникающий в сверхпроводящем круговом кольце при остановке его равномерного вращения. |
| 80211. Определить коэффициент поглощения альвеновской волны (предполагая его малым) в несжимаемой жидкости. |
| 80212. Найти закон расширения со временем вращательного разрыва. |
| 80213. Найти область значений vi, в которой нарушается эволюционность параллельной ударной волны в идеальном (в термодинамическом смысле) одноатомном газе с отношением теплоемкостей cp/cv = 5/3. |
| 80214. Впереди ударной волны тангенциальное магнитное поле Ht1 = 0, а позади Нt2 # 0 (такую ударную волну называют волной включения). Найти интервал значений скорости vn1, которой может обладать такая волна в газе с теми же термодинамическими свойствами, как и в задаче 1. |
| 80215. Диэлектрический шар равномерно вращается (в пустоте) в однородном постоянном магнитном поле h. Определить возникающее вокруг шара электрическое поле. |
| 80216. Намагниченный шар равномерно вращается (в пустоте) вокруг своей оси, параллельной направлению намагничения. Определить возникающее вокруг шара электрическое поле. |
| 80217. Р’ рамках макроскопического уравнения движения магнитного момента (уравнения Ландау-Лифшица, СЃРј. IX, (69.9)), РІ отсутствие диссипации, найти тензор магнитной проницаемости для РѕРґРЅРѕСЂРѕРґРЅРѕ намагниченного РѕРґРЅРѕРѕСЃРЅРѕРіРѕ ферромагнетика типа легкая РѕСЃСЊ (Р›.Р”. Ландау, Р*.Рњ. Лифшиц, 1935). rot Рќ = 0, div Р’ = div (H + 4РїM) = 0. (69.9) |
| 80218. Найти частоты однородного ферромагнитного резонанса эллипсоида, одна из главных осей которого совпадает с осью легкого намагничения. В этом же направлении приложено внешнее поле. |
| 80219. Найти закон дисперсии магнитостатических колебаний в неограниченной среде. |
| 80220. Найти частоты неоднородного резонанса в неограниченной плоскопараллельной пластинке, поверхность которой перпендикулярна к оси легкого намагничения; вдоль этой же оси направлено внешнее поле h. |
| 80221. В заданный момент времени (t = 0) в некоторой области пространства имеется электромагнитное возмущение. Не поддерживаемое внешними источниками, оно будет затухать со временем. Найти условия, определяющие декремент этого затухания. |
| 80222. На границу полупространства (х > 0), заполненного прозрачной средой (ц = 1), падает в нормальном направлении плоская электромагнитная волна с резко обрывающимся передним фронтом. Определить структуру фронта волны, прошедшей внутрь среды. |
| 80223. Найти закон преобразования скорости распространения света в среде (групповой скорости) при преобразовании системы отсчета. |
| 80224. Определить скорость распространения света в движущейся (относительно наблюдателя) среде. |
| 80225. Найти закон обращения коэффициента отражения в 1 вблизи угла полного отражения. |
| 80226. Найти коэффициент отражения при почти скользящем падении света из пустоты на поверхность тела с близким к 1 значением е. |
| 80227. Определить коэффициент отражения при падении волны из пустоты на границу среды с отличными от единицы е и ц. |
| 80228. Плоскопараллельный слой вещества 2 находится между вакуумом (среда 1) и произвольной средой 3. Из вакуума на слой падает свет, поляризованный в плоскости падения (или перпендикулярно к ней). Выразить коэффициент отражения от слоя R через коэффициенты отражения при падении света на полубесконечную среду 2 или 3. |
| 80229. Определить коэффициенты отражения и прохождения при нормальном падении света на пластинку с очень большой комплексной диэлектрической проницаемостью е. |
| 80230. Определить интенсивность теплового излучения (заданной частоты) от плоской поверхности с малым импедансом. |
| 80231. По границе раздела между двумя средами соответственно с положительной и отрицательной диэлектрическими проницаемостями (e1 и -|e2|) может распространяться поверхностная H-волна, затухающая в глубь обеих сред. Определить связь между ее частотой и волновым вектором. |
| 80232. Вывести теорему взаимности для квадрупольных и магнитно-дипольных излучателей. |
| 80233. Определить зависимость интенсивности излучения дипольного источника, погруженного в однородную изотропную среду, от проницаемостей е и ц среды. |
| 80234. Определить частоты собственных колебаний в резонаторе с идеально проводящими стенками, имеющем форму прямоугольного параллелепипеда. |
| 80235. Определить частоты дипольно-злектрических и дипольно-магнитных колебаний в сферическом резонаторе (радиуса а). |
| 80236. В резонатор внесен маленький шарик с электрической и магнитной поляризуемостями ае и аm. Определить вызванный этим сдвиг собственной частоты резонатора. |
| 80237. Резонатор заполнен прозрачным диэлектриком с диэлектрической проницаемостью е. Определить изменение собственной частоты при малом изменении dе (r) диэлектрической проницаемости. |
| 80238. Найти значения x для волн, распространяющихся по волноводу прямоугольного сечения (длины сторон а, b). Найти коэффициенты затухания этих волн. |
| 80239. Найти значения ус для волн, распространяющихся по волноводу кругового сечения (радиуса a). Найти коэффициенты затухания этих волн. |
| 80240. Линейно поляризованный свет рассеивается на хаотически ориентированных малых частицах, имеющих три различных главных значения тензора электрической поляризуемости. Определить коэффициент деполяризации рассеянного света. |
| 80241. Определить сечение рассеяния на шарике (радиуса а), обладающем большим е; предполагается, что L >> а ~ d. |
| 80242. Плоская монохроматическая волна падает нормально на прорезанную в идеально проводящем плоском экране щель ширины 2а, большой по сравнению с длиной волны. Определить распределение интенсивности света за щелью на больших расстояниях от нее для больших углов дифракции. |
Сборники задач
| Задачи по общей физике Иродов И.Е., 2010 |
| Задачник по физике Чертов, 2009 |
| Задачник по физике Белолипецкий С.Н., Еркович О.С., 2005 |
| Сборник задач по общему курсу ФИЗИКИ Волькенштейн В.С., 2008 |
| Сборник задач по курсу физики Трофимова Т.И., 2008 |
| Физика. Задачи с ответами и решениями Черноуцан А.И., 2009 |
| Сборник задач по общему курсу физики Гурьев Л.Г., Кортнев А.В. и др., 1972 |
| Журнал Квант. Практикум абитуриента. Физика Коллектив авторов, 2013 |
| Задачи по общей физике Иродов И.Е., 1979 |
| Сборник вопросов и задач по физике. 10-11 класс. Гольдфарб Н.И., 1982 |
| Все задачники... |
Статистика решений
| Тип решения | Кол-во |
| подробное решение | 62 245 |
| краткое решение | 7 659 |
| указания как решать | 1 407 |
| ответ (символьный) | 4 786 |
| ответ (численный) | 2 395 |
| нет ответа/решения | 3 406 |
| ВСЕГО | 81 898 |
Форма связи
fizmatbank@ya.ru
Мы в WhatsApp
Мы в Telegram
