Earth curvature of space2 curvature of space1
Банк задач

Вход на сайт
Регистрация
Забыли пароль?
Статистика решений
Тип решенияКол-во
подробное решение60032
краткое решение7560
указания как решать1341
ответ (символьный)4704
ответ (численный)2335
нет ответа/решения3772
ВСЕГО79744

База задач ФизМатБанк

 62401. Германиевый транзистор ГТ108А используется в схеме с оборванной базой. Определить температуру, при которой произойдет тепловой пробой, если транзистор имеет следующие данные: максимально допустимая температура перехода Tп mах = 80°С, тепловое сопротивление переход — среда Rnс = 0,8 К/мВт, обратный ток коллекторного перехода lкб0 = 10 мкА при 20°С, коэффициент передачи тока базы b = 50 (постоянен в интервале температур от 20 до 80°C). Напряжение источника Ек = -10 В.
 62402. Мощный транзистор, имеющий тепловое сопротивление между переходом и корпусом Rпк = 0,8 К/Вт, должен рассеивать мощность Ркэ = 10 Вт при температуре окружающей среды Тс = 32°С. Для повышения надежности температуру перехода решено ограничить величиной 70°С. В сборочной конструкции содержатся шайба и изолирующая силиконовая смазка. Тепловое сопротивление шайбы равно 1,5 К/Вт, а силиконовая смазка уменьшает его примерно на 40 %. Определить, какова должна быть площадь теплоотвода, если он необходим. Считать, что 1 см2 металлической поверхности теплоотвода имеет тепловое сопротивление 800 К/Вт.
 62403. Транзистор с коэффициентом передачи тока базы b = 49 используется в схеме, изображенной на рис. Определить напряжение Uкэ при Т = 50°С, если обратный ток коллекторного перехода lкб0 = 10 мкА зависит от температуры по закону l'кб0 = lкб0 е^0,08(T - T0), где Т - Т0 = 50 - 25 = 25°С. Напряжение источника Eк = +20 В.
 62404. Транзистор с параметрами b = 50 и lкб0 = 10 мкА при Т = 25°С используется в схеме, изображенной на рис. Напряжение Ек = +20 В и Uбэ = 100 мВ. Определить напряжение Uкэ при T = 25 и 50°С. Считать, что температурный коэффициент напряжения dUбэ/dТ = -2,5 мВ/К.
 62405. Транзистор типа МП21В работает в схеме, изображенной на рис , а. Пользуясь выходными характеристиками транзистора (рис. ,б), графически определить рабочую точку при Ек = -40 В и Rн = 1 кОм.
 62406. В схеме, изображенной на рис. , используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы b = 50 и обратным током коллектора lкб0 = 10 мкА. Напряжение источника питания Ек = -15 В. Определить сопротивления Rб и Rн, если ток коллектора lк = 1 мА, напряжение коллектор — эмиттер Uкэ = -6 В.
 62407. Дана схема, изображенная на рис. ,а. Определить коллекторный ток, если коэффициент передачи тока базы транзистора b = 50, обратный ток коллекторного перехода lкб0 ~ 0 и Eэ = -30 В, Eк = -40 В.
 62408. Схема усилителя изображена на рис. Рассчитать цепи смещения, если рабочая точка задана следующими координатами: lк = 1 мА, Uкэ = -6 В. Коэффициент усиления каскада Кu = -8.
 62409. Транзистор работает в схеме ОБ с нагрузкой Rн = 2 кОм. Его параметры: rэ = 40 Ом, rб = 200 Ом, rк = 200 кОм, Ск = 20 пФ. На какой частоте за счет влияния емкости Ск модуль коэффициента усиления |Ki| уменьшится вдвое? Внутренним сопротивлением источника сигнала пренебречь.
 62410. На низких частотах коэффициент передачи тока эмиттера транзистора h21б0 = -0,98 его предельная частота fh21б = 5 МГц. Определить: а) модуль коэффициента передачи тока эмиттера |h21б| этого транзистора на частоте 10 МГц; б) частоту, на которой модуль коэффициента передачи тока эмиттера уменьшается до значения 0,6.
 62411. При Т = 300 К в рабочей точке с координатами lк = 10 мА и Uкэ = 10 В на низких частотах транзистор имеет следующие значения h-параметров: h11э = 500 Ом, h12э = 10^-4, h21э = 100, h22э = 50 мкСм. Вычислить все параметры гибридной схемы замещения, если fгр = 50 МГц и Ск = 3 пФ.
 62412. Удельная проводимость канала n-типа полевого транзистора s = 20,9 См/м и ширина канала w = 6 мкм при напряжении затвор — исток, равном нулю. Найти напряжение отсечки Uотс, считая, что подвижность электронов цn = 0,13 м2/(В*с), а относительная диэлектрическая проницаемость кремния е = 12. б) При напряжении затвора, равном нулю, сопротивление сток — исток равно 50 Ом. При каком напряжении затвора сопротивление сток — исток станет равным 200 Ом?
 62413. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом, имеющий lc mаx = 2 мА и Smax = 2 мА/В, включен в усилительный каскад по схеме с общим истоком. Сопротивление резистора нагрузки Rн = 10 кОм. Определить коэффициент усиления по напряжению, если: а) Uзи = -1 В; б) Uзи = -0,5 В; в) Uзи = 0.
 62414. У некоторого полевого транзистора с управляющим р-n-переходом lс max = 1 мА и Uотс = 4 В. Определить: а) какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор — исток, равном 2 В; б) чему равна крутизна и максимальная крутизна в этом случае?
 62415. В усилительном каскаде с общим истоком сопротивление нагрузки Rн = 20 кОм (рис. ). Эффективное входное сопротивление полевого транзистора 20 кОм, рабочая крутизна S = 2 мА/В. Определить коэффициент усиления каскада.
 62416. Истоковый повторитель (рис. ) имеет ток стока lс = 5 мА и S = 2 мА/В, Rн = 500 Ом, URu = 11ис. Определить следующие величины: а) Кu; б) Rвых; в) Ес.
 62417. В усилителе, схема которого показана на рис. , при |Uзи| = 2 В ток стока lc = 1 мА. Определить: а) сопротивление резистора Rи, если падением напряжения lзRз можно пренебречь; б) напряжение Ec, если Rи = 10 кОм, Uси = 4 В.
 62418. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом и каналом n-типа используется в усилительном каскаде (рис. ). Напряжение отсечки транзистора Uoтc = -2 В, максимальный ток стока lс max = 1,8 мА. Известно, что при напряжении источника питания Eс = 20 В ток стока lс = 1 мА. Модуль коэффициента усиления усилителя по напряжению |Ku| = 10. Определить : а) напряжение смещения затвор — исток Uзи; б) крутизну транзистора в рабочей точке S; в) сопротивление резистора в цепи истока Rн; г) сопротивление нагрузки в цепи стока Rc. Предположить, что внутреннее сопротивление транзистора Ri >> Rc и что на рабочей частоте емкостное сопротивление конденсатора С пренебрежимо мало.
 62419. В МДП-транзисторе с каналом n-типа ширина затвора 0,8 мм, длина канала l = 5 мкм, толщина слоя диэлектрической изоляции (оксидного) d = 150 нм, подвижность электронов в канале цn = 0,02 м2/(В*с), относительная диэлектрическая проницаемость оксидной пленки е = 3,7, напряжение сток — исток в пологой части характеристики (при насыщении) Uси = 8 В. Определить крутизну характеристики прибора в пологой области стоковой ВАХ.
 62420. В предварительном усилителе, схема которого изображена на рис. , определить номиналы переходных и блокирующих конденсаторов, а также необходимый тип активных элементов для обеспечения нижней граничной частоты fн = 100 Гц и верхней граничной частоты fв = 500 кГц. Подсчитать коэффициент усиления в области средних частот.
 62421. Рассчитать широкополосный усилитель на основе каскадного соединения однотипных усилительных микросхем К224УС1 по следующим данным: Rн = 1 кОм, Ku = 10, fв > 40 МГц, fн < 500 кГц. Предполагается, что усилитель работает от низкоомного источника сигнала.
 62422. В двухкаскадном транзисторном усилителе с общим коэффициентом усиления по току, равным 3000, использованы транзисторы с коэффициентом b = 100. В схему включена ООС с параметром у = 0,01. Определить изменение общего коэффициента усиления (%) при наличии обратной связи и без нее, если изменение напряжения питания приводит к уменьшению параметра b до 50.
 62423. Усилитель с входным сопротивлением Rвх = 10 кОм и выходным сопротивлением Rвых = 0,5 кОм при работе на нагрузку с сопротивлением Rн = 2 кОм имеет коэффициент усиления по напряжению, равный 500. Как изменятся коэффициент усиления, входное и выходное сопротивления усилителя при введении в него последовательной обратной связи по напряжению? Делитель напряжения включен параллельно нагрузке и составлен из сопротивлений R1 = 9,9 кОм и R2 = 100 Ом.
 62424. Усилитель с входной проводимостью Yвх = 2 мСм и выходной проводимостью Yвых = 100 мкСм при работе на нагрузку Yн = 50 мкСм имеет коэффициент усиления по току, равный 500. Как изменятся коэффициент усиления, входная и выходная проводимости усилителя при введении параллельной обратной связи по току? Токовый делитель включен так, как показано на рис. , и составлен из резисторов с проводимостями Y1 = 10 мСм и Y2 = 101 мкСм.
 62425. Рассчитать широкополосный усилитель напряжения, работающий на согласованный кабель (Rн = 75 Ом), по следующим данным: uг = 2,5 мВ; Rг = 1 кОм; uн = 500 мВ; Кг < 5 %; fв > 20 МГц. Нестабильность коэффициента усиления при всех условиях эксплуатации не должна превышать 10 %.
 62426. Двухкаскадный усилитель, схема которого показана на рис. , имеет коэффициент гармоник Кг = 20 % при требуемом эффективном уровне выходного тока, равном 5 мА. Определить сопротивление резистора обратной связи Roc, который следует включить между эмиттером второго и базой первого транзистора для уменьшения Кг до уровня 5 %. Определить также изменение значения тока генератора входного тока с внутренним сопротивлением 10 кОм, необходимое для того, чтобы сохранить требуемое значение выходного тока.
 62427. Рассчитать однотактный транзисторный усилитель мощности, изображенный на рис. , если заданы величина сопротивления нагрузки Rн = 5 Ом и мощность в нагрузке Рн = 2 Вт. Напряжение источников питания Ек = -15 В и Еэ = +15В.
 62428. Рассчитать двухтактный бестрансформаторный усилитель мощности, изображенный на рис , если заданы мощность в нагрузке Рн = 2 Вт и сопротивление нагрузки Rн = 10 Ом. Усилитель работает от источника сигнала с параметрами Eг = 600 мВ и Rг = 10 Ом.
 62429. Рассчитать усилитель с гальванической связью (рис. ), обеспечивающий Uвых = ±3 В на нагрузке Rн = 5 кОм. Требуемый коэффициент усиления Ku > 100 в диапазоне частот от 0 до 10 кГц.
 62430. Рассчитать ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричными входом и выходом. Э.д.с. входного сигнала Eг = 10 мВ, сопротивление Rг = 0,1 кОм. Требуемый коэффициент усиления Кuд = 20, сопротивление Rвх > 5 кОм. Выбрать значение напряжения источников питания, рассчитать элементы схемы, величину Коc.сф, a также оценить приведенный дрейф усилителя при условии, что абсолютные значения температурных приращений напряжений и токов транзистора разнятся на 5 %.
 62431. Рассчитать нормирующий усилитель на основе ОУ типа К140УД1А с коэффициентом передачи Ku = 10, работающий на нагрузку с сопротивлением Rн = 5 кОм. Входное сопротивление не менее 10 кОм, выходное сопротивление не более 100 Ом. Усилитель работает от источника сигнала с э.д.с. Ег = 0,2 В и внутренним сопротивлением Rг = 1 кОм. Оценить относительную статическую погрешность и дрейф, приведенный ко входу усилителя, если dT = 20°С (от 20 до 40°С) и нестабильность источников питания ±10 %.
 62432. Рассчитать измерительный усилитель на основе ОУ для усиления разностного сигнала с диагонали моста, в одно из плеч которого включен терморезистор (рис. ). При изменении температуры на 20°С (от 20 до 40°С) возникает разбаланс моста dRx = 5 Ом. Номиналы резисторов моста Rх 20°C = R1 = 100 Ом; R2 = R3 = 5 кОм; напряжение питания моста Еп = 10 В. Требуемое значение коэффициента усиления должно регулироваться в пределах от 30 до 50. Входное сопротивление Rвх > 50 кОм. Оценить величину синфазной помехи на выходе усилителя, учитывая разброс номиналов резисторов схемы.
 62433. Рассчитать инвертирующий сумматор с тремя входами на идеальном ОУ (KuОУ = oo, RвхОУ = oо, RвыхОУ = 0). Значения ЭДС на входах и внутренние сопротивления источников следующие: Eг1 = -2 В, Eг2 = 3 В, Eг3 = 1 В, Rг1 = 0,5 кОм. Rг2 = 0, Rг3 = 1 кОм. Требуемое усиление сигнала по первому входу равно 5, по второму — 2, по третьему — 10. Сопротивление нагрузки Rн = 5 кОм.
 62434. На вход ОУ типа 140УД6, включенного по схеме повторителя, подается синусоидальный входной сигнал переменной частоты с амплитудой 10 В. Определить предельную частоту входного сигнала, при которой будут отсутствовать искажения выходного напряжения.
 62435. Рассчитать резонансный усилитель с последовательным включением LC-контура (см. рис. ). Усилитель должен работать от источника сигнала с сопротивлением Rr = 0,1 кОм на нагрузку с параметрами Rн = 1 кОм, Сн = 100 пФ и обеспечивать резонансную частоту f0 = 500 кГц, добротность Qзвк > 35 и усиление на резонансной частоте Ku0 > 20.
 62436. Рассчитать избирательный RC-усилитель на основе двойного Т-образного моста в цепи обратной связи по следующим данным: f0 = 1 кГц, Qзвк = 15, Rг = 1 кОм, Rн = 1 кОм. Схема усилителя приведена на рис. .
 62437. Рассчитать избирательный усилитель с цепью максимального типа на основе операционного усилителя по следующим данным: Q = 10; dQ/Q = 0,1; f0 = 10 кГц; Uвых max = 8 В.
 62438. Рассчитать фильтр нижних частот с максимально плоской характеристикой по следующим данным: f0 = 10 кГц, К0 > 10, n = -40 дБ/дек.
 62439. Используя метод заряда, получить выражения для определения времен фронта, среза и рассасывания носителей в базе при переключении транзисторного ключа (рис. ,а) импульсом базового тока. Передний фронт импульса базового тока нарастает по экспоненциальному закону lб(t) = lб1 (1 - е^-at), а задний спадает по закону lб(t)e^-bt (a, b — некоторые величины, обратные постоянным времени).
 62440. Определить длительности фронта, среза и рассасывания при переключении транзисторного ключа, нагруженного на RС-цепь (рис. ), прямоугольным импульсом напряжения, изменяющимся от значения Ег2 = -2 В до Ег1 = 1 В. Внутреннее сопротивление генератора входного сигнала Rг = 1 кОм. Исходные данные для расчета: Ек = 10 В, Rн = Rк = 1 кОм, Сн = 100 пФ, тип транзистора МП41.
 62441. Рассчитать параметры ключа с ускоряющим конденсатором (рис ), выполненного на транзисторе типа КТ312, и определить его быстродействие при подаче на вход прямоугольного импульса напряжения. Нижний уровень входного сигнала Eг2 = 1 В, верхний уровень Eг1 = +2 В, сопротивление генератора Rг = 1 кОм. Степень насыщения транзистора S не должна превышать значения 4. Принять bmin = 80.
 62442. Определить сопротивления резисторов R1, R2, Rк транзисторного ключа, изображенного на рис Исходные данные: тип транзистора МП41А, напряжение питания Eк = 10 В, амплитуда входного и выходного сигналов соответственно Uвх = 3 В, Uвых > 8 В, сопротивление резистора нагрузки Rн = 3 кОм, степень насыщения транзистора S = 3, температура окружающей среды t = 20 -:- 60°С. Сопротивлением источника входного сигнала Rг можно пренебречь.
 62443. Определить амплитуду прямоугольного импульса Uвх2, необходимую для отпирания ключа и насыщения транзистора со степенью S = 4, если одновременно с Uвх2 действует импульс Uвx1 с амплитудой, равной 1 В (рис. ). Исходные данные: Eк = 6 В, Rк = 2 кОм, Есм = -1 В, R1 = R2 = 1 кОм, Rсм = 0,5 кОм, bmin = 27.
 62444. Определить крутизну МДП-транзистора в схеме ключа с резистивной нагрузкой, необходимую для получения остаточного напряжения Uост = 0,1 В, при следующих параметрах схемы: Ес = Ез.вкл = 30 В, Rc = 100 кОм, пороговое напряжение U0 = 5 B.
 62445. Определить мощность, потребляемую ключом (см. схему на рис. ), если Eс = 15 В, Rс = 5,1 кОм, удельная крутизна МДП-транзистора b = 100 мкА/В2, U0 = 4 В. Ключ управляется последовательностью импульсов с амплитудой Eз.вкл = 15 В и скважностью Q = 2.
 62446. Сравнить длительности включения и выключения МДП-транзисторного ключа с резистивной нагрузкой при Ес = 15 В, Rc = 1 кОм, паразитных емкостях МДП-транзистора Ссп = Сзк = Сзи = Сзc = 2 пФ, Eз.вкл = 15 В, U0 = 3 В, b = 0,5 мА/В2.
 62447. Определить мошность, потребляемую базовой ДТЛ-схемой (см. рис. ): а) в режиме логического нуля, б) в режиме логической единицы на выходе схемы. Сравнить полученные результаты. Параметры схемы: Е1 = Eк = 5 В, Е2 = -0,5 В. Падения напряжения на диодах смещения Uд.см = 0,9 В, на входных диодах Uд.вх = 0,8 В, на базе и коллекторе открытого транзистора относительно эмиттера Uбн = 0,6 В, Uкн = 0,1 В соответственно. Сопротивления резисторов Rк = 1 кОм, R1 = 10 кОм, R2 = 5 кОм.
 62448. Доказать, что транзистор Т3 в интегральной схеме ТТЛ-типа со сложным инвертором (см. рис. ) запирается при подаче на все входы многоэмиттерного транзистора Т1 высокого уровня напряжения. Принять Uбн = 0,7 В. Пороговые напряжения отпирания транзистора и диода одинаковы: Uпор.т = Uпор.д = Uпор = 0,4 В.
 62449. На одном из входов ТТЛ-схемы (см. рис. ) действует сигнал логического нуля. При этом транзисторы Т2 и T4 закрыты, а Т3 находится в активном режиме. Определить параметры схемы и транзистора Т3, при которых данный транзистор работает в активном режиме.
 62450. Определить высокий уровень выходного напряжения в ТТЛ-схеме со сложным инвертором (см. рис. ), если напряжения на прямосмещенных переходах открытых транзисторов и диода равны. Параметры схемы: Uд = Uбэн = Uкбн = 0,7 В, Ек = 4,8 В, b3 = 10, b1 = 0,025, R1 = 4 кОм, R2 = 1,6 кОм. Нагрузкой схемы является n аналогичных ей ТТЛ-схем со сложным инвертором. Принять, что n = 10.
 62451. Определить максимальную амплитуду импульса токовой помехи по цепи питания, возникающей при переключении ТТЛ-схемы (см. рис. ) из состояния 0 в состояние 1. Параметры схемы: R2 = 3,3 кОм, Ек = 5 В, Uбэ = 0,8 В, Uд = 0,7 В, b = 30, Uки = 0,2 В.
 62452. Определить помехоустойчивость ТТЛ-схемы (см. рис. ) при действии на ее входе: а) напряжения логической единицы U1вx = 2,4 В, б) напряжения логического нуля U0вx = 0,4 В. Считать, что напряжения на прямосмешенных переходах открытых транзисторов равны 0,7 В, пороговое напряжение отпирания транзистора равно 0,7 В, напряжение коллектор — эмиттер насыщенного транзистора Uкн равно 0,2 В.
 62453. Определить помехоустойчивость ТТЛ-схемы со сложным инвертором (см. рис. ). Сравнить полученные результаты с результатами предыдущей задачи. Исходные данные обеих задач одинаковы.
 62454. На каждом из входов двухэмиттерного транзистора ТТЛ-схемы со сложным инвертором (см. рис. ) действует высокий уровень напряжения. Определить входной ток l1вх схемы, если падения напряжения Uбэ, Uбк на открытых переходах транзисторов равны 0,7 В. Инверсный коэффициент усиления многоэмиттерного транзистора bl = 0,01, напряжение питания Ек = 5 В, сопротивление R1 = 4 кОм.
 62455. Как изменится входной ток l1вx схемы (см. предыдущую задачу), если на один из входов подается низкий уровень напряжения U0вx = 0,2 В?
 62456. Определить мощность, потребляемую и рассеиваемую ненагруженной ТТЛ-схемой (см. рис. ): а) при действии на одном из ее входов сигнала логического нуля с напряжением U0вх = 0,2 В, б) при действии на всех входах сигналов логической единицы. Принять следующие исходные данные: Ек = 5 В, R1 = 3,6 кОм, Uбэ = Uбк = 0,7 В, Uкэн = 0,2 В, R2 = 2 кОм.
 62457. Определить мощность, потребляемую и рассеиваемую ТТЛ-схемой (см. рис ) при действии на одном из ее входов сигнала логического нуля с напряжением U0вх = 0,4 В. Схема нагружена на 16 аналогичных схем, каждая из которых имеет входной ток l1вх = 0,63 мА. Рассеиванием мощности на открытых переходах транзистора и диода пренебречь. Падение напряжения на открытых переходах транзисторов и диода Uбэ = Uд = 0,7 В. Номиналы резисторов: R1 = 39 кОм, R2 = 2,5 кОм, R4 = 500 Ом. Напряжение питания Ек = 5 В.
 62458. Определить условия, при которых режим транзистора T4 в схеме на рис всегда соответствует режиму работы управляющего транзистора Т2.
 62459. Определить значения коллекторного lк и базового lб токов транзистора Шотки (см. рис. ,б), включенного по схеме ОЭ, если входной ток lвх = 5 мА, напряжение питания Ек = 5 В, сопротивление резистора в коллекторной цепи Rк = 1 кОм. Коэффициент усиления по току n-р-n-транзистора b = 50, падение напряжения Uкэ = 0,4 В. Как изменится коллекторный ток транзистора Шотки, если произойдет случайный обрыв цепи источника питания Eк?
 62460. Записать аналитические выражения для низкого и высокого уровней напряжения на выходе 1 и выходе 2 в ЭСЛ-схеме, нагруженной на n аналогичных схем: а) при заземленной минусовой шине (рис. ,а), б) при заземленной плюсовой шине (рис. ,б).
 62461. Определить условия, при которых в ЭСЛ-схеме (см. рис. ,а) открытые транзисторы работают в активном режиме.
 62462. Определить значения токов в схеме, приведенной на рис. , если на входе А действует напряжение логического нуля, а на входе В — напряжение логической единицы. В качестве источника сигнала и нагрузки используются одинаковые И2Л-элементы. Коэффициент передачи тока а транзистора T0 принять равным 0,3, напряжение питания E = 5 В, сопротивление инжектора Rи = 100 кОм.
 62463. Рассчитать уровни логического нуля, логической единицы и статическую помехоустойчивость элемента И2Л (транзисторы T1 и T0 на рис. ) при Е = 3 В, Rи = 10 кОм, а = 0,6 для транзистора р-n-р, b = 5 для транзистора n-р-n. Считать, что к каждому выходу подключен один аналогичный нагрузочный элемент И2Л.
 62464. Изобразить принципиальную схему на элементах И2Л, выполняющую логическую функцию F = (А + В) (С + D). Определить для этой схемы величины сопротивления в цепи инжектора Rи и время задержки tзд.р.ср, если заданы следующие параметры: потребляемая мощность Р = 1 мВт, напряжение питания Е = 3 В, паразитная емкость Сп = 1 пФ, коэффициент передачи тока р-n-р-транзистора а = 0,8, постоянная времени тb = 10 нc.
 62465. Определить коэффициент разветвления К0разв элемента И2Л, приведенного на рис. , если минимальный коэффициент усиления по току транзистора n-p-n bmin = 5.
 62466. Определить аналитическое выражение для расчета напряжения логического нуля элементов ИЛИ — НЕ и И — НЕ на однотипных МДП-транзисторах. Потенциал логической единицы принять равным E — U0.
 62467. Вывести аналитическое выражение для расчета мощности Рпот, потребляемой от источника питания инвертором на однотипных МДП-транзисторах [проверить правильность формулы (9.19)].
 62468. Найти соотношение между временем включения и временем выключения логической схемы на однотипных МДП-транзисторах. Пояснить, почему время включения меньше времени выключения.
 62469. Определить работу переключения Aпер = Рпoт tз.ср двухвходовой логической схемы ИЛИ — НЕ на однотипных МДП-транзисторах, если заданы следующие параметры: U0 = 3 В, E = 15 В, Свых = 10 пФ, bа = 0,3 мА/В2, U0вых = 0,8 В.
 62470. В схеме со сложным инвертором, представленной на рис. , геометрические размеры каналов транзисторов T1 и Т2 выбираются одинаковыми. Сравнить данную схему с простыми схемами, приведенными на рис. , по значению напряжения U0вых и быстродействию.
 62471. Определить, каково значение коэффициента разветвления по выходу интегральной логической схемы на однотипных транзисторах, если время переключения схемы не должно превышать 2 мкс. Входную емкость Свх интегральной схемы принять равной 2 пФ, остальные исходные данные соответствуют задаче 9.35.
 62472. Сравнить величины U0выx и tз.выкл инвертора на р-канальных МДП-транзисторах и инвертора на n-канальных МДП-транзисторах, если геометрические размеры каналов нагрузочных транзисторов обоих инверторов одинаковы.
 62473. Сравнить быстродействие инвертора на однотипных МДП-транзисторах и инвертора на КМДП-транзисторах.
 62474. Определить, при каких частотах переключения мощность, потребляемая инвертором на КМДП-транзисторах, будет равна мощности, потребляемой элементом ТТЛ. Принять напряжение питания E = 9 В, выходную емкость Свых = 10 пФ, длительность фронта переключающих импульсов tф = 10 нc, удельные крутизны n-канального и р-канального транзисторов bn = bp = 300 мкА/В2, пороговые напряжения U0n = U0p = 3 В. Мощность, потребляемую элементом ТТЛ, принять равной 1 мВт.
 62475. Привести временные диаграммы работы устройства и составить таблицу переходов простейшего асинхронного RS-триггера, выполненного: а) на элементах ИЛИ — НЕ (рис. ,а) на элементах И — НЕ (рис. ,б). Сравнить полученные результаты и сделать вывод.
 62476. Проанализировать работу асинхронного Т-триггера, функциональная схема которого приведена на рис. Составить и объяснить таблицу переходов.
 62477. Составить и объяснить таблицу переходов, привести временные диаграммы переключения синхронного Т-триггера, выполненного по способу «основной - вспомогательный» (О-В) (рис. ).
 62478. Свойства синхронного D-триггера характеризуются таблицей переходов: ####. Показать, что схема на рис. , выполненная по способу О-В, реализует функцию D-триггера. Привести временные диаграммы, иллюстрирующие работу схемы.
 62479. Составить и объяснить таблицу переходов, привести временные диаграммы переключения асинхронного JК-триггера (рис. ), выполненного по способу О-В.
 62480. Рассчитать симметричный триггер (рис. ), работающий в режиме раздельного запуска и удовлетворяющий следующим требованиям: максимальная частота переключений Fmax = 100 кГц, амплитуда выходного импульса Uвых > 10 В, полярность выходного импульса — отрицательная, амплитуда прямоугольного запускающего импульса тока lвх = 10 мА, диапазон рабочих температур t = 20 -:- 60°С, колебания напряжения питания и разброс номиналов резисторов соответственно dE = dR = ±10 %.
 62481. Как следует изменить параметры симметричного триггера, рассчитанного по условиям предыдущей задачи, чтобы обеспечить его нормальную работу при подключении нагрузочного резистора Rн?
 62482. Рассчитать триггер Шмитта на транзисторах (см. рис ,а), работающий в качестве формирователя прямоугольных положительных импульсов с амплитудой 10 В и длительностью tвых = 100 мкс из сигнала синусоидальной формы ег = Um sin wt. Температура окружающей среды 20 — 60°С.
 62483. Рассчитать навесные элементы схемы триггера Шмитта, выполненной на интегральных расширителях К155ЛП1 (рис. ) и предназначенной для работы в качестве порогового устройства с напряжениями срабатывания и отпускания соответственно Ег1 = 1,6 В, Ег2 = 1,2 В. Напряжение источника питания Eк = 5 В. Напряжения на прямосмещенном эмиттерном и коллекторном переходах считать одинаковыми: Uбэ = Uбк = 0,7 В. Напряжение коллектор — эмиттер насыщенного транзистора Uкн = 0,2 В. Пороговое напряжение отпирания эмиттерного перехода закрытого транзистора Uпор = 0,6 В. Нормальный и инверсный коэффициенты усиления транзистора по току b = 60, bi = 0,02. Сопротивление резисторов Rб1 = Rб2 = 4 кОм. Обратными токами транзистора можно пренебречь.
 62484. Определить пороговые напряжения срабатывания и отпускания в схеме триггера Шмитта на операционном усилителе (см. рис. ). Исходные данные для расчета: R1 = 12 кОм, R2 = 400 Ом, Uoп = 1 В. Максимальное выходное напряжение операционного усилителя U вых.max = ±10 В.
 62485. Рассчитать схему автоколебательного мультивибратора, генерирующего прямоугольные импульсы с амплитудой Uвых = 10 В, длительностью tн = 100 мкс и частотой F = 1,2 кГц. Нагрузка Rн с сопротивлением 10 кОм включена между коллекторами транзисторов и «землей». Диапазон температур окружающей среды 20 — 60°С. Нестабильность рабочей частоты при изменении температуры не должна превышать 12 %.
 62486. Как изменится рабочая частота мультивибратора (рис. ), если резисторы R1 и R2 подключить к источнику напряжения — E0 = Eк2 (рис. ,а)? Определить минимальное значение Е0, при котором мультивибратор сохраняет работоспособность. Принять R1 = R2 = R = 10 кОм, C1 = С2 = С, Eк = -12 В, bmin = 50.
 62487. Определить максимальную скважность выходных импульсов в схеме мультивибратора с диодной фиксацией коллекторных потенциалов на уровне Еф = -4 В (рис. ,a). Напряжение питания Ек = -12 В. Тип транзистора ГТ321Б.
 62488. Рассчитать параметры ждущего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями (см. рис. ), формирующего на выходе импульсы отрицательной полярности с амплитудой Uвых = -6 В и длительностью tи = 30 мкс. Время восстановления исходного состояния схемы не должно превышать 15 мкс. Разброс значений напряжения питания dE и номиналов резисторов dR не должен превышать 10 %. Температура окружающей среды 20 — 60°С.
 62489. Рассчитать параметры ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (см. рис. ), предназначенного для формирования импульсов отрицательной полярности с амплитудой Uвых = -5 В и длительностью 15 мкс. Частота запускающих импульсов f равна 20 кГц. Температура окружающей среды 20 - 40°С.
 62490. Рассчитать схему блокинг-генератора (см. рис. ), работающего в автоколебательном режиме на нагрузку с сопротивлением Rн = 1 кОм и генерирующего импульсы с амплитудой Uвых = 4 В, длительностью tи = 20 мкс и скважностью Q = 70. Температура окружающей среды не превышает 30°С.
 62491. Определить максимальную частоту повторения запускающих импульсов ждущего блокинг-генератора на транзисторе МП111. Задано, что Eк = 12 В, Eб = +2 В, С = 1 нФ, R = 1 кОм, L = 1 мГн, nб = 0,2, nн = 1. Длительности отрицательного и положительного фронтов выходного импульса можно не учитывать. Считать, что tв < tвосст.
 62492. Найти максимальное значение сопротивления резистора Rmах, при котором схемы мультивибратора (см. рис. и 11.8) теряют работоспособность. ИМС выполнены на базе элементов ТТЛ-логики и имеют следующие параметры: пороговое значение отпирания ИМС Uпор.сх = 1,4 В; Ек = 5 В; Uбэ = 0,7 В; R1 = 4 кОм.
 62493. Спроектировать автоколебательный мультивибратор (см. рис. ,а) на интегральных микросхемах серии 155 с пороговым напряжением 1,4 В. Напряжение на выходе схемы в режиме логической единицы U1вых = 2,4 В, в режиме логического нуля U0вых = 0,4 В. Рабочая частота F = 5 кГц, скважность повторения выходных импульсов Q = 2.
 62494. Пользуясь данными задач 11.8 и 11.9, определить емкость конденсатора в схеме ждущего мультивибратора (см. рис. ,а), выполненного на интегральных микросхемах серии 155 и предназначенного для формирования выходного импульса длительностью 70 мкс.
 62495. Рассчитать автоколебательный мультивибратор на операционном усилителе (см. рис. ), генерирующий знакопеременные импульсы, амплитуда и частота которых Uвых > 8 В и F = 10 кГц соответственно. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
 62496. Скважность выходных импульсов, генерируемых схемой мультивибратора (см. рис. ,а), при Есм = 0 равна двум. Как изменится скважность импульсов мультивибратора при подключении источника смещения с напряжением Eсм = 5 В? Навесные элементы мультивибратора имеют параметры R = R2 = 10 кОм, R1 = 10 R2, С = 27 нФ. Тип операционного усилителя К140УД7.
 62497. Рассчитанный на основании результатов задачи 11.11 мультивибратор на операционном усилителе типа К140УД7 (см. рис. , а), имеющий навесные элементы с параметрами R = R2 = 0,1 R1 = 10 кОм, С = 27 нФ, генерирует при Eсм = 0 импульсы частотой 10 кГц и со скважностью два. Как изменятся частота и скважность колебаний мультивибратора, если резистор R зашунтировать цепью, состоящей из последовательного соединения диода Д и резистора R' = R? (На рис цепь показана штриховыми линиями.)
 62498. Спроектировать ждущий мультивибратор на операционном усилителе (рис. ), формирующий отрицательные перепады выходного напряжения длительностью 10 мкс при поступлении на вход схемы коротких отрицательных импульсов с максимальной частотой fвx.max = 67 кГц. Падение напряжения на открытом диоде Д1Uд1 = 0,6 В.
 62499. Выбрать схему и рассчитать элементы генератора линейно возрастающего напряжения, обеспечивающего при отключенной нагрузке следующие характеристики выходного сигнала: Кн = 10 %, foбp = 5 мс, Uм = 1,5 В. Время нарастания линейного напряжения должно определяться длительностью прямоугольного импульса tи = 10 м/с, поданного на вход генератора. Амплитуда сигнала и внутреннее сопротивление источника соответственно равны Eг = -5 В, Rг = 1 кОм. Температура окружающей среды 20 — 60°С.
 62500. Как изменятся амплитуда выходного напряжения и коэффициент нелинейности генератора пилообразного напряжения, выполненного по схеме рис. ,a, при подключении резистивно-емкостной нагрузки Rн и Сн?