Earth curvature of space2 curvature of space1
Банк задач

Вход на сайт
Регистрация
Забыли пароль?
Статистика решений
Тип решенияКол-во
подробное решение57480
краткое решение7556
указания как решать1341
ответ (символьный)4703
ответ (численный)2335
нет ответа/решения3776
ВСЕГО77191

База задач ФизМатБанк

 34501. Найти разность потенциалов, возникающую при эффекте Дембера между освещенной и темной поверхностями толстого образца германия n-типа. Интенсивность поверхностной генерации пар gs = 10^15 см^-2 с^-1, время жизни неравновесных носителей в объеме т = 10^-4 с, Dn = 98 см2 с^-1, b = 2,1, n0 = 5*10^14 см^-3; положить s = 0.
 34502. Найти разность потенциалов, возникающую при эффекте Дембера между освещенной и темной поверхностями толстого образца германия n-типа. Интенсивность поверхностной генерации пар gs = 10^15 см-2 с-1, время жизни неравновесных носителей в объеме т = 10^-4 с, Dn = 98 см2 с-1, b = 2,1, n0 = 5*10^14 см-3; на освещенной поверхности образца рекомбинация избыточных носителей заряда происходит со скоростью s = 500 см*с-1?
 34503. Найти концентрацию неравновесных носителей заряда на верхней и нижней гранях тонкой пластины полупроводника n-типа (рис. ) в условиях равномерной по объему генерации светом с плотностью потока квантов J = 5*10^16 см^-2 с^-1 и коэффициентом поглощения y = 5 см^-1. Квантовый выход h = 1, толщина пластины d = 0,7 мм, скорость поверхностной рекомбинации s = 500 см*с^-1, тр = 10^-4 с, Dp = 49 см2*с^-1.
 34504. Найти скорость поверхностной рекомбинации s0 на нижней грани плоскопараллельной пластины полупроводника n-типа толщиной d = 7 мм (рис. ) в условиях равномерной по объему генерации светом, если скорость поверхностной рекомбинации на верхней грани sd = 100 см*с^-1, концентрации неравновесных носителей заряда на верхней и нижней гранях равны соответственно dp(d) = 7*10^12 см^-3, dp(0) = 5*10^12 см^-3; тp = 10^-4 с, Dp = 49 см2 с^-2.
 34505. Найти распределение неравновесных дырок в длинном нитевидном образце n-Ge при стационарной инжекции дырок в точке и при наличии электрического поля E = 5 В*см^-1 вдоль образца. Температура комнатная, полупроводник невырожден, Lp = 0,09 см.
 34506. Вычислить дрейфовую длину неравновесных дырок в германии n-типа при комнатной температуре в электрическом поле E = 5 В*см^-1, если диффузионная длина дырок Lp = 7*10^-2 см.
 34507. В однородный полубесконечный электронный полупроводник (х > 0) на поверхности х = 0 стационарно инжектируются дырки. Вдоль образца в направлении х > 0 приложено электрическое поле E = 10 В/см. Определить, на каком расстоянии от поверхности образца концентрация неравновесных дырок уменьшится в полтора раза; Lр = 0,1 см.
 34508. В однородный полубесконечный электронный полупроводник (х > 0) на поверхности х = 0 стационарно инжектируются дырки. Вдоль образца в направлении х < 0 приложено электрическое поле E = 10 В/см. Определить, на каком расстоянии от поверхности образца концентрация неравновесных дырок уменьшится в полтора раза; Lр = 0,1 см.
 34509. В однородный полубесконечный полупроводник (х > 0) при х = 0 стационарно инжектируются дырки. Определить концентрацию введенных дырок при х = 0, если коэффициент инжекции e = 0,5, полная плотность тока i = 1,6 мА*см^-2, Lр = 0,1 см, Dp = 50 см2 с^-1. Дрейфом дырок пренебречь.
 34510. В однородный полубесконечный полупроводник (х > 0) при х = 0 стационарно инжектируются дырки. Определить напряженность электрического поля в точке инжекции, если коэффициент инжекции e = 0,5, полная плотность тока i = 1,6 мА*см-2, Lp = 0,05 см, Dp = 50 см2 с-1, удельная проводимость образца s0 = 0,1 Ом-1 см-1, b = 2,1, и можно считать n0 >> р0, dр. Дрейфом дырок пренебречь.
 34511. Исследовать распределение концентрации неравновесных дырок, стационарно инжектируемых при х = 0 в однородный полубесконечный полупроводник (х > 0) n-типа, если время жизни дырок тp = а/р, где а - постоянная. Считать dp >> p0, дрейфом дырок пренебречь.
 34512. Вычислить неравновесную концентрацию дырок на границе полубесконечного (х > 0) слабо легированного электронного полупроводника, к которому при х = 0 приложено сильное электрическое поле E > 0. Коэффициент инжекции e = 0,15, n0 = 10^13 см^-3, р0 = 0,5*10^13 см^-3, b = 2,1. Считать, что dn = dр << n0 и условия стационарны.
 34513. Вычислить неравновесную концентрацию дырок на границе x=0 полубесконечного (х > 0) слабо легированного электронного полупроводника, к которому при х = 0 приложено сильное электрическое поле E < 0. Коэффициент инжекции e = 0,15, n0 = 10^13 см-3, р0 = 0,5*10^13 см-3, b = 2,1. Считать, что dn = dр << n0 и условия стационарны.
 34514. В однородный полубесконечный полупроводник (х > 0) n-типа при х = 0 стационарно инжектируются дырки. Определить плотность электронного тока при х = 0, если dp(0) = 10^13 см^-3, Lp = 0,07 см, Dp = 49 см2 с^-1, коэффициепт инжекции e = 0,4. Дрейфом неравновесных носителей заряда пренебречь,
 34515. В образце n-типа плотность тока вдоль оси х (см. рис. ) есть jх = 0,1 А*см^-2. Магнитное поле по оси z есть H = 1000 Э. В условиях рассеяния на колебаниях решетки цnH = 1,18цn. Определить Rн и холловское напряжение Vн, если n0 = 10^15 см^-3 и размер образца в направлении оси у равен а = 0,5 см.
 34516. При наложении на образец p-типа магнитного поля Нz = 4000 Э, перпендикулярного направлению тока, сопротивление увеличилось на 0,22%. Определить коэффициент магнетосопротивления e и коэффициент hр в формулах (4.1а) и (4.2а), если црH = 2240 см2 В^-1 с^-1.
 34517. Определить постоянную Холла в InSb, содержащем акцепторы с концентрацией Na = 5*10^16 см^-3, если отношение холловских подвижностей к дрейфовым равно 1,18, цn/цp = 80. Магнитное поле слабое, ni = 1,6*10^16 см^-3, Т = 300 К, акцепторы считать полностью ионизованными.
 34518. В полупроводнике p-типа при bр = цpН/с = 0,2 постоянная Холла RH = 0. Определить коэффициент магнетосопротивления e, если b = цn/цp = 30 и длины свободного пробега электронов и дырок не зависят от энергии.
 34519. Определить напряжение ФЭМ эффекта между торцами массивного кубического образца n-типа, если bр = црнН/с = 0,07, максимальная концентрация избыточных электронов (на поверхности х = 0) dn(0) = 10^14 см^-3, р0 = 1,6 Ом*см, Dp = 45 см2 с^-1, b = 2,1.
 34520. Определить время жизни в полупроводнике p-типа, если при наложении вдоль оси у (см. рис. ) поля напряженности E1у = 0,168 B*см^-1 и магнитного поля (по оси z) Н = 1000 Э ток вдоль оси у не зависит от слабого освещения граней, перпендикулярных оси х. Dn = 98 см2 с^-1, (цnH + црН)/(цn + цр) = 1,2, размеры образца считать большими, прилипания нет.
 34521. На поверхности х = 0 (см. рис. ) образца n-типа генерируются светом неравновесные носители заряда, так что dn(0) = 2*10^13 см^-3. Относительное уменьшение сопротивления образца d = 1,2 %, а Vфэм = 3,8*10^-3 В при bр = цpН/с = 0,1, Определить тр и тn, если цn = 3800 см2 В^-1 с^-1, b = 2,1, Dp = 45 см2 с^-1, d = 0,2 см, а размер образца вдоль оси у есть а = 1 см.
 34522. Вычислить дебаевскуго длину при 300 К: а) в собственном германии (е = 16), б) в собственном кремнии (е = 12), в) в германии n-типа с концентрацией электронов, равной 10^15 см^-3. Оценить дебаевскую длину в металле, полагая е = 1, р(F) = 10^22 см^-3 эВ^-1.
 34523. Определить ход потенциала в обогащенном приповерхностном слое полупроводника n-типа. Оценить толщину обогащенного слоя, если доноры в объеме полупроводника полностью ионизованы.
 34524. На поверхности кремния р-типа существует обедненный слой, причем концентрация электронов считается пренебрежимо малой. Найти толщину области объемного заряда при 300 К, если фв = 0,25 В, а концентрация мелких полностью ионизованных акцепторов в объеме Na = 10^15 см^-3.
 34525. На поверхности кремния р-типа существует обедненный слой, причем концентрация электронов считается пренебрежимо малой. Оценить напряженность поля на поверхности при 300 К, если eфв = 0,25 В, а концентрация мелких полностью ионизованных акцепторов в объеме Na = 10^15 см-3.
 34526. На поверхности образца кремния n-типа существует сильный изгиб зон вверх, отвечающий образованию обедненного слоя. При каком значении потенциала в приповерхностной области концентрация дырок сравняется с концентрацией электронов? Оценить толщину приповерхностного слоя, в котором р(х) > n(х), если ефв = 0,5 эВ, концентрация электронов в объеме n = 10^15 см^-3, Т = 300 К, b = цn/цp = 2,9.
 34527. Во сколько раз потенциал в точке инверсии проводимости в кремнии р-типа больше, чем в германии р-типа, если концентрации дырок в объеме этих полупроводников одинаковы и равны р = 2*10^15 см^-3; концентрации носителей заряда в собственных германии и кремнии при комнатной температуре равны соответственно: niGe = 2,2*10^13 см^-3, niSi = 1,05*10^10 см^-3, а отношения подвижностей электронов и дырок равны: bGe = 2,1 и bSi = 2,9.
 34528. Определить форму зон, если к полупроводнику с собственной проводимостью нормально к его поверхности приложено постоянное электрическое поле E (рис. ) настолько слабое, что везде в полупроводнике eф/kT << 1. Найти скачок потенциала на поверхности, если E = 160 В*см^-1, ni = 2,2*10^13 см^-3, е = 16, Т = 300 К.
 34529. Перпендикулярно к поверхности дырочного полупроводника с полностью ионизованной акцепторной примесью в объеме приложено слабое электрическое поле eф/kТ << 1 (рис. ). Определить ход потенциала в приповерхностной области и поверхностный потенциал, если напряженность приложенного поля E = 2*10^3 В*см^-1, р = 10^15 см^-3, е = 16, Т = 300 К.
 34530. Найти поверхностный потенциал для собственного германия при комнатной температуре, если концентрация адсорбированной на его поверхности донорной примеси N = 10^9 см^-2. Считать доноры полностью ионизованными, ni = 2,2*10^13 см^-3, е = 16, eф/kT << 1.
 34531. Найти поверхностный потенциал для собственного германия при комнатной температуре, если концентрация адсорбированной на его поверхности донорной примеси N = 10^12 см^-2. Ход потенциала ф(x) аппроксимировать двумя прямолинейными участками (рис. ); ф = { ф2 - Ex2 0 < x < ф2/E2, где напряженность поля E постоянна. Считать искривление зон на поверхности большим: eф3/kT >> 1, ni = 2,2*10^13 см^-3, е = 16.
 34532. Найти изменение работы выхода в германии с проводимостью p-типа, если на его поверхности адсорбируется акцепторная примесь с концентрацией N = 8*10^8 см^-2. Считать акцепторы в объеме и на поверхности полупроводника полностью ионизованными, eф/kT << 1, р = 10^15 см^-3, е = 16, Т = 300 К. Оценить, при каких N в рассматриваемом случае справедлива сделанная аппроксимация eф/kT << 1.
 34533. Найти изменение работы выхода электронов, если на поверхности полупроводника адсорбированы молекулы с дипольным моментом 3*10^-28 Кл*м и плотностью N = 10^12 см^-2 (рис. ).
 34534. Найти поверхностный потенциал для полупроводника n-типа при комнатной температуре, если концентрация адсорбированной на его поверхности донорной примеси N = 10^12 см-2. Ход потенциала ф(x) аппроксимировать двумя прямолинейными участками (рис. ); ф = { ф2 - Ex2 0 < x < ф2/E2, где напряженность поля E постоянна. Считать искривление зон на поверхности большим: eфs/kT >> 1, концентрация электронов n = 2*10^15 см-3, e = 16.
 34535. Найти плотность адсорбированного на поверхности кремния p-типа поверхностного заряда, вызвавшего уменьшение работы выхода на 0,26 эВ. Ход потенциала ф(x) аппроксимировать двумя прямолинейными участками (рис. ); ф = { ф2 - Ex2 0 < x < ф2/E2,где напряженность поля E постоянна. Считать акцепторы полностью ионизованными; р = 10^14 см-3, e = 12, T = 300 К.
 34536. Для полупроводника, содержащего в объеме полностью ионизованную примесь, найти связь между зарядом на поверхности и поверхностным потенциалом; считать фх = 0 = фs > 0.
 34537. Вычислить поверхностный потенциал для кремния n-типа, если на поверхности адсорбированы доноры, концентрация которых N = 10^11 см^-2 (считать все доноры полностью ионизованными, при этом eф2/kT >> 1); n = 10^12 см^-3, e = 12, Т = 300 К.
 34538. Вычислить плотность заряда на поверхности германия n-типа (доноры в объеме полностью ионизованы), если изгиб зон на поверхности составляет еф3 = 10kT; Т = 300 К, n = 10^16 см^-3, е = 16. Определить концентрацию акцепторных уровней, создающих этот заряд, считая акцепторы полностью ионизованными.
 34539. При адсорбции центров акцепторного типа на поверхности собственного германия работа выхода увеличилась на 0,052 эВ. Найти концентрацию адсорбированных акцепторов, если они полностью ионизованы; Т = 300 К, ni = 2,2*10^13 см^-3, е = 16.
 34540. При адсорбции акцепторной примеси на поверхности германия р-типа работа выхода электронов увеличилась на 0,13 эВ. Определить плотность адсорбированного заряда, если акцепторы в объеме и на поверхности полностью ионизованы, р = 2*10^15 см^-3, Т = 300 К, e = 16.
 34541. Найти плотность заряда, адсорбированного на поверхности собственного кремния, если при адсорбции работа выхода уменьшилась на dф = 0,13 эВ; ni = 1,05*10^10 см^-3, е = 12, Т = 300 К.
 34542. Определить плотность заряда, адсорбированного на поверхности германия р-типа, если при адсорбции работа выхода электронов уменьшилась на 0,026 эВ. Акцепторы в объеме полностью ионизованы; T = 300 К, е = 16, р = 2,2*10^15 см^-3. Вычислить концентрацию донорных уровней, создающих этот заряд.
 34543. Для дырочного полупроводника с полностью ионизованными примесями в объеме приближенно вычислить поверхностную проводимость, если при адсорбции акцепторных молекул энергетические зоны изогнулись на 0,25 эВ; р = 10^13 см^-3, е = 12, ц*р = 10^3 см2 В^-1 с^-1, температура комнатная.
 34544. Для дырочного полупроводника с полностью ионизованными примесями в объеме приближенно вычислить поверхностную плотность заряда, если при адсорбции акцепторных молекул энергетические зоны изогнулись на 0,25 эВ; р = 10^13 см-3, e = 12, цр = 103 см2 В-1 с-1, температура комнатная.
 34545. Определить поверхностный потенциал полупроводника с собственной проводимостью, если поверхностная проводимость G = 10^-7 Ом^-1. Считать всюду в полупроводнике еф/kТ < 1 (ф > 0); ц*n = цn = 3800 см2 В^-1 с^-1, b = 2,1, е = 16, ni = 2,2*10^13 см^-3, Т = 300 К.
 34546. Определить поверхностный потенциал германия р-типа при адсорбции акцепторных молекул, если поверхностная проводимость равна G = 6*10^-7 Ом^-1; eф/kT < 1, ц*p = цр = 1800 см2 B^-1 c^-1, р = 10^15 см^-3, е = 16, T = 300 К. Считать, что всюду в полупроводнике акцепторы полностью ионизованы.
 34547. Вычислить поверхностный потенциал кремния n-типа, на поверхности которого адсорбированы доноры, если поверхностная проводимость G = 5*10^-5 Ом^-1, при этом eф/kT > 1. Ход потенциала ф(x) аппроксимировать двумя прямолинейными участками (рис. ); ф = { ф2 - Ex2 0 < x < ф2/E2, где напряженность поля E постоянна. Считать доноры всюду в полупроводнике полностью ионизованными; ц*n = цn = 1450 см2 В^-1 с^-1, n = 10^13 см^-3, е = 12, Т = 300 К.
 34548. Определить плотность заряда в поверхностных состояниях, если к электронному полупроводнику нормально к его поверхности прикладывается постоянное электрическое поле E = 5*10^3 В*см^-1 (ф > 0), и при этом поверхностная проводимость оказывается равной 10^-6 Ом^-1. Считать, что всюду в полупроводнике выполнено условие eф/kT < 1; n = 5*10^14 см^-3, е = 16, ц*n = цn = 3800 см2 В^-1 с^-1, Т = 300 К. Считать доноры в полупроводнике полностью ионизованными.
 34549. Определить поверхностный потенциал полупроводника n-типа при адсорбции донорных молекул с поверхностной концентрацией N, если донорная примесь в объеме полупроводника на расстояниях, больших длины экранирования, полностью ионизована; Nd = n = 3*10^14 см^-3, е = 16, Т = 300 К. Рассмотреть случаи: а) N = 10^9 см^-2, считать при этом eф3/kT << 1, где ф3 = ф|x = 0; б) N = 3*10^12 см^-2, при этом eф3/kT > 1.
 34550. Внешним электрическим полем, направленным по нормали к поверхности дырочного полупроводника с полностью ионизованными акцепторами, индуцируется заряд с поверхностной плотностью dQ = 1,8*10^-9 Кл*см^-2, при этом ц э.п = 0,4 ц*p. Определить долю индуцированного заряда, захваченного поверхностными состояниями.
 34551. Перпендикулярно поверхности дырочного полупроводника приложено электрическое поле, увеличившее поверхностную проводимость на dG = 0,6*10^-6 Ом^-1. Определить плотность индуцированного заряда, захваченного поверхностными состояниями, если известно, что емкость на единицу площади конденсатора, состоящего из полупроводникового образца и металлического электрода, равна С = 90 пФ*см^-2, приложенное напряжение U = 5,7 В, a ц*p = 1800 см2 В^-1 с^-1.
 34552. Определить плотность отрицательного заряда на поверхности дырочного полупроводника, если величина поверхностного потенциала равна lфs| = 0,25 В. Акцепторы в глубине полупроводника (на расстояниях, больших длины экранирования) считать полностью ионизованными; р = 3*10^14 см^-3, e = 16, Т = 300 К.
 34553. Определить скорость поверхностной рекомбинации s для тонкой и длинной пластины полупроводника n-типа. Длина и ширина пластины значительно превышают ее толщину, равную 2а = 0,5 мм, скорости поверхностной рекомбинации для обеих сторон пластины одинаковы, эффективное время жизни неравновесных носителей в пластине т1 = 125 мкс, а объемное время жизни, измеренное для толстого образца, равно тp = 250 мкс. Использовать условие sa/Dp < 1.
 34554. Определить скорость поверхностной рекомбинации s1 на верхней грани тонкой пластины полупроводника n-типа. Длина и ширина пластины значительно превышают ее толщину, равную 2а = 0,2 мм, скорость поверхностной рекомбинации на нижней грани s2 гораздо меньше, чем s1, эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в пластине т1 = 20 мкс, а объемное время жизни тp = 100 мкс. Использовать условие s1a/Dp < 1.
 34555. Найти зависимость скорости поверхностной рекомбинации s от величины фs, характеризующей изгиб зон на поверхности полупроводника (рис. ) и связанной с поверхностным потенциалом соотношением eф3 = F - Ei - eфs, где Ei = (Ес + Ev)/2. Поверхностная концентрация центров, принимающих участие в рекомбинации, равна Nt, энергия их уровня есть Et, концентрации избыточных носителей заряда в объеме вблизи области пространственного заряда одинаковы (dр = dn при х = x1). Считать полупроводник невырожденным, отклонение от равновесия малым (dр < n0), условия стационарными.
 34556. Определить отношение сечений захвата электронов и дырок, если известно, что скорость поверхностной рекомбинации s(фs) при изменении фs происходит через максимум при eфs = 1,1kT. Величина фs характеризует изгиб зон на поверхности полупроводника (рис. 12) и связана с поверхностным потенциалом соотношением eфs = F - Ei - eфs, где Ei = (Ес + Ev)/2. Поверхностная концентрация центров, принимающих участие в рекомбинации, равна Nt, энергия их уровня есть Et, концентрации избыточных носителей заряда в объеме вблизи области пространственного заряда одинаковы (dр = dn при х = x1). Считать полупроводник невырожденным, отклонение от равновесия малым (dр << n0), условия стационарными.
 34557. Напряженность электрического поля в обогащенном слое вблизи поверхности полупроводника равна 10^5 В*см^-1. Оценить энергию наинизшего энергетического уровня в треугольной потенциальной яме, ограничивающей движение электрона в направлении, перпендикулярном поверхности. Эффективную массу электрона принять равной 0,2m0.
 34558. Получить выражение для термо-э, д. с. в отсутствие магнитного поля для носителей с квадратичным законом дисперсии. Оценить термо-э. д. с. типичного металла (mмет = m0, mмет = 2*10^22 см^-3) при комнатной температуре и сравнить ее с термо-э. д. с. вырожденного полупроводника n-типа (mпп = 0,2m0, mпп = 210^19 см^-3). Считать, что рассеяние в обоих случаях происходит на заряженной примеси.
 34559. Качественно представить на графике температурную зависимость термо-э. д. с. германия р-типа в примесной и собственной областях.
 34560. Считая, что рассеяние происходит на акустических колебаниях, найти величину термо-э. д. с. германия p-типа, содержащего 6*10^15 см^-3 мелких акцепторов, при Т = 200 К.
 34561. Определить положение энергетического уровня доноров в компенсированном полупроводнике n-типа, если термо-э, д. с. при 100 К равна -2,1 мВ*К^-1. Известно, что Nd = 2*10^15 см^-3, nid < Na, степень компенсации Na/Nd = 0,5, а рассеяние происходит на акустических колебаниях решетки.
 34562. В предельном случае сильного вырождения получить выражение для термо-э. д. с. полупроводника n-типа, закон дисперсии которого имеет вид (1.3ж). Найти термо-э. д. с. антимонида индия с концентрацией электронов 10^18 см^-3 при 100 К, если рассеяние происходит на заряженной примеси. Эффективная масса электронов на дне зоны проводимости равна 0,013m0, а ширина запрещенной зоны изменяется с температурой по закону Et = (0,26 - 2,7*10^-4 Т) эВ.
 34563. Получить выражение для термо-э. д. с. полупроводника n-типа с законом дисперсии (1.3ж) при произвольном вырождении. Считать, что непараболичность зоны невелика и ограничиться рассмотрением первых поправок, возникающих из-за непараболичности зоны.
 34564. Оценить величину «фононной» составляющей термо-э. д. с германия n-типа при температуре 20 К. В исследуемом образце подвижность электронов в основном определяется рассеянием на акустических колебаниях и равна 4*10^5 см2 В^-1 с^-1, а рассеяние фононов происходит на стенках образца. Поперечные размеры образца порядка 1 мм, а скорость звука 5*10^5 см*с^-1.
 34565. Наблюдаемая подвижность электронов в антимониде индия при 20 К равна 2*10^5 см2 В^-1 с^-1, а оценка подвижности в случае, когда рассеяние происходит только на акустических колебаниях, дает при этой температуре величину порядка 10^8 см2 В^-1 c^-1. Считая, что рассеяние фононов происходит на стенках образца, оценить отношение «фононной» составляющей термо-э. д. с. антимонида индия n-типа к «фононной» составляющей термо-э. д. с. n-германия. Скорость звука в InSb равна 10^5 см*с^-1, поперечные размеры образцов считать одинаковыми.
 34566. Измерения термо-э. д. с. в полупроводнике р-типа в сильном магнитном поле (w >> 1) при комнатной температуре показали, что в исследуемой области полей термо-э. д. с. не зависит от магнитного поля и равна 475 мкВ К^-1. На основе этих измерений найти эффективную массу дырок, если концентрация их равна 5,6*10^17 см^-3. Закон дисперсии дырок считать квадратичным.
 34567. Найти выражение для термо-э. д. с. полупроводника n-типа с законом дисперсии (1.3а) в пределе сильных магнитных полей (w >> 1) в отсутствие вырождения. Рассмотреть зависимость разности dа(oo) = а | H ->oo - а | H = 0 от механизма рассеяния.
 34568. Для вырожденных образцов антимонида индия с концентрацией электронов 10^17 см^-3 при 77 К термо-э. д. с. в области сильных магнитных полей не зависит от магнитного поля и равна 68 мкВ*К^-1. Принимая закон дисперсии в виде (1.3ж), найти величину эффективной массы на дне зоны проводимости. Ширина запрещенной зоны при 77 К равна 0,22 эВ.
 34569. Термо-э. д. с. в вырожденном полупроводнике n-типа в области сильных магнитных полей постоянна и равна — 27 мкВ*К^-1. Измерения без магнитного поля при той же температуре дали для термо-э. д. с. значение — 51 мкВ*К^-1. Найти параметр r, определяющий характер рассеяния электронов, если известно, что зона проводимости исследуемого материала — параболическая.
 34570. Для арсенида индия эмпирически установлен следующий закон дисперсии электронов в зоне проводимости, выполняющийся вплоть до энергии порядка 0,6 эВ: Е (k) = 0,28 In [1 + 5,9*10^-14 k2 (см^-2)] эВ. Найти, при какой концентрации электронов обращается в нуль величина изменения термо-э. д. с. в сильном магнитном поле dа(oo). Возможно ли обращение в нуль величины da(oo), если закон дисперсии электронов имеет вид (1.3ж)? Считать, что рассеяние происходит на заряженной примеси.
 34571. Найти фото-э. д. с. в полупроводнике с монополярной проводимостью при произвольной степени вырождения.
 34572. Вычислить фото-э. д. с. в образце n-Ge при Т = 300 К, если его средняя часть (рис. ) освещена так, что в ней ds = 0,2 Ом^-1 см^-1, а вне ее ds = 0. В отсутствие освещения удельное сопротивление в сечении А есть р0,а = 15 Ом*см, а в сечении В ро,в = 5 Ом*см.
 34573. Вычислить фото-э.д.с. в образце n-Ge при Т = 300 К, если его средняя часть (рис. 13) освещена так, что в ней ds =/=0, а вне ее ds = 0. В отсутствие освещения удельное сопротивление в сечении А есть p0,А = 10 Ом*см, а в сечении В p0,B = 8 Ом*см. Решить задачу при двух значениях ds: ds1 = 0,01 Ом-1 см-1 и ds2= 2 Ом-1 см-1.
 34574. Образец n-Ge освещается в узкой полоске (рис. ) шириной dl = 0,1 мм светом, генерирующим 2,5*10^15 см^-3 с^-1 пар носителей заряда. В точке х = 0 удельное сопротивление р (0) = 1 Ом*см. При передвижении светового зонда вдоль образца фото-э. д. с. изменяется как V(x) = - A/1 + Bx, где А = 3*10^-4 В, В = 2 см^-1. Найти р в точке х = 2 см; температура комнатная.
 34575. Вычислить для случая однородного возбуждения вентильную фото-э. д. с, возникающую в р - n-переходе в Ge при 75 К. Освещается (рис. ) участок n-области, прилегающий к р - n-переходу; в нем dn = 10^10 см^-3, вне его dn = 0. В глубине n-области n0 = nn = 10^15 см^-3, в p-области рр = 10^14 см^-3; цn = 3*10^4 см2 B^-1 с^-1, b = 0,5.
 34576. Найти разность потенциалов dф между гранями образца n-типа толщиной d = 1 см, если освещением грани х = 0 созданы неравновесные концентрации dn(х) = dр(х) = N exp(-x/L), 0 < x <d, где N = 10^13 см^-3, L = 0,01 см. Равновесная концентрация электронов изменяется линейно от n'0 = 5*10^14 см^-3 при х = 0 до n''0 = 4*10^14 см^-3 при х = d; температура 200 К, b = 2,1.
 34577. Вычислить фото-э. д. с. в полупроводнике с монополярной проводимостью при произвольной степени вырождения и при наличии прилипания, считая тp/тn = 10.
 34578. При отражении света с L = 100 мкм толстым полупроводниковым образцом коэффициент отражения R = 0,36. Коэффициент пропускания пленки из того же материала толщиной d = 1 мм равен Т = 0,17. Найти коэффициент поглощения y.
 34579. Найти величины квазиволновых векторов электрона и дырки, рождаемых при поглощении кванта света hw в прямозонном полупроводнике с параболическими изотропными законами дисперсии. Оценить степень невертикальности перехода, сравнив результат с величиной волнового вектора q поглощенного фотона. Принять Еg = 0,3 эВ, эффективные массы mn = mр = 0,4m0, hw = 0,31 эВ, показатель преломления n = 4.
 34580. Найти величины квазиволновых векторов электрона и дырки, рождаемых при поглощении кванта света hw в прямозонном полупроводнике. Оценить степень невертикальности перехода, сравнив результат с величиной волнового вектора q поглощенного фотона. Принять Еg = 0,18 эВ, эффективные массы mn = mр = 0,4m0, hw = 0,20 эВ, показатель преломления n = 3,3. Cчитать закон дисперсии кейновским с m(0) = 0,015m0.
 34581. Определить энергии частиц, рождающихся при поглощении кванта света hw > Еg в полупроводнике с вырожденной валентной зоной. Законы дисперсии считать параболическими и изотропными с эффективной массой электронов mn = 0,05m0 и эффективными массами легких и тяжелых дырок mpl = 0,12m0 и mрh = 0,5m0 соответственно. Принять Eg = 1,43 эВ, hw = 1,5 эВ.
 34582. Вычислить комбинированную плотность состояний для зоны проводимости и зоны легких дырок, описываемых законом дисперсии (1.3ж).
 34583. Вычислить комбинированную плотность состояний для зоны проводимости и зоны тяжелых дырок, описываемых формулами (1.3ж) (при знаке «+») и (1.3з) (считать m0 >> m(0) и hw = Eg << Egm0/m(0)).
 34584. Определить величину и направление вектора а, лежащего в плоскости X0Y, если заданы координаты начала и конца вектора а (рис. I.).
 34585. Определить проекцию вектора а на ось ОХ, полагая, что угол а задан (рис. I., I.8).
 34586. Пешеход вышел из пункта А и, двигаясь строго на северо-восток, прошел расстояние AB = S1 = 5 км за 1 час. Затем он повернул на восток и прошел еще расстояние ВС = S2 = 6 км, двигаясь 2 часа. После этого он пошел на юг и прошел расстояние CD = S3 = 6 км за 1 час. Определить путь, пройденный пешеходом за 4 часа, и его перемещение dr за это время (рис. I.).
 34587. Из городов A и В, находящихся на прямолинейном шоссе, одновременно навстречу друг другу выезжают две автомашины со скоростями vA = 100 км/ч и vB = 60 км/ч. Расстояние между городами L = 120 км (рис. l.). Через какое время (tв) и на каком расстоянии от города А (хв) встретятся автомашины? Как меняется расстояние между ними, если каждая машина, пройдя 120 км, остановилась? Решить зaдaчу аналитически и графически.
 34588. Лодка переплывает реку, отправляясь из пункта А. Если она держит курс перпендикулярно берегу, то через время t1 после отправления она попадает в пункт С, лежащий на расстоянии S ниже пункта В (рис. l., а). Если она держит курс с той же скоростью под некоторым углом а к прямой АВ, то через время t2 лодка попадет в пункт В (рис. l., б). Определить: ширину реки I, скорость лодки u, скорость течения реки v и угол а.
 34589. Человек в лодке должен попасть из точки А в точку В, находящуюся на противоположном берегу реки (рис. l.). Скорость течения реки v0. Прямая АВ расположена под углом а к берегу. С какой наименьшей скоростью u относительно воды должна плыть лодка, чтобы попасть в точку В?
 34590. Автомобиль проехал первую половину пути со скоростью v1 = 40 км/ч , вторую — со скоростью v2 = 60 км/ч. Определить среднюю скорость (средний модуль скорости) на всем пройденном пути.
 34591. К ползуну, который может перемещаться по направляющей рейке (рис. l.), прикреплен нерастяжимый шнур, продетый через кольцо. Шнур выбирают со скоростью v. С какой скоростью u движется ползун в момент, когда шнур составляет с направлением оси ОХ угол а?
 34592. Ударом клюшки хоккейной шайбе сообщили скорость v0 = 20 м/с. Через время t0 = 10 с шайба, движущаяся прямолинейно, остановилась. Определить ускорение, с которым двигалась шайба, и путь S, пройденный шайбой за это время.
 34593. Автомобиль начинает двигаться из точки A со скоростью v0 и через некоторое время попадает в точку В (рис. l.). Какой путь прошел автомобиль, если он двигался с постоянным по величине ускорением а? Определить среднюю скорость автомобиля на всем пути движения. Расстояние между точками A и В равно I.
 34594. График зависимости скорости автомобиля от времени изображен на рис. l.. Начертить график зависимости ускорения, координаты и пути, пройденного телом, от времени, полагая х0 = 0.
 34595. С поверхности Земли вертикально вверх со скоростью v0 выпустили сигнальную ракету. Как долго ракета будет в полете? До какой максимальной высоты H она поднимется? Какую скорость vк будет иметь ракета при приземлении? Сопротивление воздуха не учитывать.
 34596. С поверхности пустого колодца вертикально вверх со скоростью v0 = 10 м/с бросают мяч (рис. l.). Определить время tп, через которое мяч упадет на дно колодца, если глубина последнего H = 7,8 м (принять g = 10 м/с2).
 34597. Снаряд выпущен под углом а к горизонту с начальной скоростью v0. Определить время полета снаряда tп, скорость снаряда в момент падения на Землю, дальность полета L, высоту максимального подъема H.
 34598. Тело брошено горизонтально со скоростью v0. Определить нормальное (аn) и касательное (тангенциальное ат) ускорения через время t0 после начала движения.
 34599. Трамвай движется со скоростью v. Радиус трамвайного колеса r, а радиус реборды R (рис. l.). Определить скорость и направление движения точки В.
 34600. Мотоциклист въезжает на арену цирка со скоростью v0 = 72 км/ч. Двигаясь по окружности радиусом R = 10 м, он проходит путь S = 600 м за время t0 = 10 с. Определить скорость v мотоциклиста и полное ускорение |а| в конце этого пути.